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        1. MOS場效應管的工作原理及作用詳細資料說明

          資料大?。?/em> 0.31 MB

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          上傳日期: 2019-12-17

          上 傳 者: 公孫御陽他上傳的所有資料

          資料介紹

          標簽:MOS(193)場效應管(375)半導體(7954)

            場效應管MOSFET)是一種外形與普通晶體管相似, 但控制特性不同的半導體器件。 它的輸入電阻可高達 1015W,且工藝簡單, 十分適用于大規模及超大規模集成電路, 根據其導電方式的不同,而分為增強型和耗盡型兩種。由于 P溝道與 N溝道的工作原理大致相同, 僅在導電載流子與供電電壓極性上有所區別,因此本文主要以介紹 N 溝道 MOS 場效應管為主。增強型場效應管所謂增強型是指:當 VGS=0時管子是呈截止狀態,加上正確的 VGS后,多數載流子被吸引到柵極,從而“增強”了該區域的載流子,形成導電溝道。常用的增強型場效應管型號: 10n60、4N60F (1)N 溝道增強型場效應管工作原理及作用介紹根據圖 1,N 溝道增強型 MOSFET基本上是一種左右對稱的拓撲結構,它是在 P 型半導體上生成一層 SiO2 薄膜絕緣層,然后用光刻工藝擴散兩個高摻雜的 N 型區,從 N 型區引出電極(漏極 D、源極 S)。在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極 G。 P型半導體稱為襯底,用符號 B 表示。

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