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        1. 如何設計600V FS結構的IGBT

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          上傳日期: 2019-12-19

          上 傳 者: 易水寒他上傳的所有資料

          資料介紹

          標簽:IGBT(1037)半導體(7967)

            場阻型IGBT(Field-Stop IGBT,FS-IGBT)是近年來出現的一類非常重要的IGBT結構,FS層能實現通態損耗與器件耐壓以及通態損耗與開關損耗之間的良好折中,因此FS型IGBT已經廣泛應用于工業控制、消費電子等領域。然而,FS-IGBT的核心技術都掌握在Infineon、Fairchild、Toshiba等國外大公司手里,目前市場上的產品基本都是由這些公司推出,國內的IGBT商業化正處于起步階段,FS技術更是遠遠落后于發達國家。本論文提出一種600V平面柵FS-IGBT器件的設計與制造方法,并通過和國內某知名代工線合作,完成了器件制備和測試。論文圍繞600V平面柵FS-IGBT的研制工作展開論述。1、首先對IGBT原理及FS層的原理進行分析討論,然后結合代工線的特點,進行了600V平面柵FS結構IGBT的工藝流程、元胞結構與終端結構設計,最后完成版圖設計并進行工藝流片。所設計的器件工藝流程為:先進行器件背面的FS層制作,然后進行正面結構(包括元胞和終端)的制作,最后再進行背面的P+區注入和金屬化。2、對流片獲得的600V FS-IGBT器件進行了主要電學參數的測試和分析。測試結果為:耐壓大于700V、正向導通壓降低于1.15V、閾值電壓4.1~4.5V。滿足設計要求。本論文的研究成果對于促進我國FS結構IGBT的研究和產業化具有很好的參考價值,通過進一步改進工藝及結構,提高產品良率,最終可以形成有競爭力的產品。

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