2019中文字幕视频

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        1. 侵權投訴

          中國半導體設備發展的現狀是怎么樣的

          2020-02-18 15:58 ? 次閱讀

          半導體設備位于整個半導體產業鏈的上游,在新建晶圓廠中半導體設備支出的占比普遍達到 80%。一條晶圓制造新建產線的資本支出占比如下:廠房 20%、晶圓制造設備 65%、組裝封裝設備 5%,測試設備 7%,其他 3%。其中晶圓制造設備在 半導體設備中占比最大,進一步細分晶圓制造設備類型,光刻機占比 30%,刻蝕 20%,PVD15%,CVD10%,量測 10%,離子注入5%,拋光 5%,擴散 5%。


          ? ? ? ? 17 年全球半導體設備市場總量約為 566 億美元,同比+37%,2018 年預計在 600 億美元規模。中國是全球半導體設備的第三大市場,17 年中國半導體設備 82.3 億 元,增速 27%。

          1.我國半導體行業政策歷史演變

          1956 年國務院制定的《1956-1967 科學技術發展遠景規劃》中,已將半導體技術列為四大科研重點之一,明確提出“在 12 年內可以制備和改進各種半導體器材、器件”的目標。同期教育部集中各方資源在北京大學設立半導體專業,培養了包括王陽元院士、許居衍院士等第一批半導體人才。

          半導體產業鏈復雜、技術難度高、需要資金巨大,且當時國內外特定的社會環境,中國在資金、人才及體制等各方面困難較多,導致中國半導體的發展舉步 維艱。(圖表 1、2 為半導體產業鏈圖)

          直到 70 年代,中國半導體產業的小規模生產才正式啟動。原電子工業部部長在其 著作《芯路歷程》中回憶這一階段歷史,提到發展中第一個誤區“有設備就能生產”, 70 年代從日本、美國引進了大量二手、淘汰設備建立了超過30 條生產線,但引進 后無法解決技術、設計問題,也沒有管理、運營能力,第一批生產線未能發揮應有 的作用,就淡出了市場。

          90 年代,國家再度啟動系列重大工程,為改變半導體行業發展困境,最知名的為 908、909 工程,中國半導體人從中獲得較多寶貴的經驗教訓,收獲了兩家較為成功的案例,分別為華虹及海思。908 工程在 1990 年啟動,投資20 億元建設國際 領先的 1 微米(1000nm)制程工藝的晶圓制造產線。由于中國彼時整體經濟力量還在蓄積,因此經費、設備引進、建廠等環節仍然阻力較大,直至1998 年產線得以 竣工。此時國際工藝節點達到0.18 微米,中國生產線剛建成就落后兩代。在 1996 年國家啟動了“909”工程,整體投資約 100 億元,并且做出很多打破審批的特事特 辦,參與其中的公司如今只剩兩家,一個是 909 工程的主體華虹集團,另一個則是 完全自籌 1.355 億元資金的華為設計公司,也就是后來的海思。

          2012 年之后,國家領導層逐漸認識到“政策在發改委、科研在科技部、產業在工信部、資金歸財政部”的格局,導致半導體行業政出多門、相互牽制、難以統籌等 現實困難,因此積極調整發展思路,設立集成電路產業領導小組、發布《集成電路產業推進剛要》、籌建大基金等舉措,進一步自上而下的理順了半導體行業發展框架。在產業領導小組成立之后,各方面的政策、資金及配套資源得以集中,為半導 體行業的攻堅克難奠定良好的基礎。

          近年來國家層面發布的政策較多,其中最重要目標性政策有:

          1、2012 年國務院主導,科技部印發“02專項”即《極大規模集成電路制造技術及 成套工藝》項目,也標志著集成電路成為國家級重點優先戰略目標?!?2 專項”核 心要點為開展極大規模集成電路制造裝備、成套工藝和材料技術攻關,掌握制約產業發展的核心技術,形成自主知識產權;開發滿足國家重大戰略需求、具有市場競爭力的關鍵產品,批量進入生產線,改變制造裝備、成套工藝和材料依賴進口的局 面。

          2、2014 年 6 月國務院頒布《國家集成電路產業發展推進綱要》。綱要明確提出,到2020 年,集成電路產業與國際先進水平的差距逐步縮小,全行業銷售收入年均 增速超過 20%,16/14nm 制造工藝實現規模量產,封裝測試技術達到國際領先水平,關鍵裝備和材料進入國際采購體系,基本建成技術先進、安全可靠的集成電路 產業體系。

          3、2015 年發布國家 10 年戰略計劃《中國制造2025》。計劃提出,2020 年中國芯 片自給率要達到 40%,2025 年要達到 70%。

          4、2016 年,國務院印發《“十三五”國家戰略性新興產業發展規劃。規劃提出, 到2020 年,戰略性新興產業增加值(含半導體產業)占國內生產總值比重達到15%。

          2.中國半導體設備現狀


          ? ? ? ?半導體設備具備極高的門檻和壁壘,全球半導體設備主要被日美所壟斷,核心設備如光刻、刻蝕、PVD、CVD、氧化/擴散等設備的 top3 市占率普遍在90%以上。

          目前光刻機、刻蝕、鍍膜、量測、清洗、離子注入等核心設備的國產率普遍較低。經過多年培育,國產半導體設備已經取得較大進展,整體水平達到 28nm,并在 14nm 和7nm 實現了部分設備的突破。

          具體來講,28nm 的刻蝕機、薄膜沉積設備、氧化擴散爐、清洗設備和離子注入機 已經實現量產;14nm 的硅/金屬刻蝕機、薄膜沉積設備、單片退火設備和清洗設備已經開發成功。8 英寸的 CMP 設備也已在客戶端進行驗證;7nm 的介質刻蝕機已被中微半導體開發成功;上海微電子已經實現 90nm 光刻機的國產化。在中低端制程,國產化率有望得到顯著提升,先進制程產線為保證產品良率,目前仍將以采購海外設備為主。


          光刻機:高精度光刻機被ASML、尼康、佳能三家壟斷,上海微電子是國內頂尖的 光刻機制造商,公司封裝光刻機國內市占率 80%,全球 40%,光刻機實現90nm 制程,并有望延伸至 65nm 和 45nm,公司承擔多個國家重大科技專項及 02 專項 任務。 刻蝕設備:前三家廠商 LAM、東京電子、應用材料市占率超過 90%,國產刻蝕機 市占率僅 6%,中微半導體是唯一打入臺積電 7nm 制程的中國設備商,北方華創的8 英寸等離子蝕刻機進入中芯國際,封裝環節刻蝕機基本實現國產化,國產化率近90%。?

          鍍膜設備:分為 PVD 和 CVD,其中 PVD 前三大廠商AMAT、Evatec、Ulvac 占 比96.2%,CVD 三大廠商 AMAT、TEL、LAM 占比 70%,國內廠商北方華創實現 28nm PVD 設備的突破,16 年國內市占率已經有 10%,封裝設備中國產 PVD 市 占率接近 70%。CVD 中的 MOCVD 是國產化最晚的領域,目前已有 20%的國產化率。

          量測設備:主要包括自動檢測設備(ATE)、分選機、探針臺等。前端檢測前三甲廠商科磊、應材、日立占比 72%,后道測試設備廠商美國泰瑞達、日本愛德萬占 全球份額 64%,分選機廠商科林、愛德萬、愛普生等市占率高達 70%,而探針臺 基本由東京精密、東京電子、SEMES 壟斷。國內廠商長川科技測試設備主要在中 低端市場,主要在數?;旌蠝y試機和功率測試機。?

          清洗設備:主要設備廠商 SCREEN、東京電子、LAM 合計占比88%,目前國內的 盛美半導體的 SAPS 產品已經進入一流半導體制造商產線。北方華創整合 Akrion 后提供單片清晰和槽式清洗設備,已經進入中芯國際產線。至純科技已經取得濕法 清晰設備的批量訂單,未來五年超過 200 臺的訂單。?

          離子注入設備:應用材料占據粒子注入機的 70%以上的市場,高端離子注入機前三家包攬 97%市場份額,行業高度集中。目前國內只有凱世通和中科信有離子注 入機的研發生產能力,17 年凱世通已經銷售太陽能離子注入機15 臺。

          3.中國半導體設備的政策支持


          從政策上看,隨著《國家集成電路產業發展推進綱要》《中國制造2025》等綱領的 退出,國內針對半導體裝備的稅收優惠、地方政策支持逐步形成合力,為本土半導體設備廠商的投融資、研發創新、產能擴張、人才引進等創造良好環境。

          財政部先后于 2008、2012、2018 年出臺稅收政策減免集成電路生產企業所得稅,對 2018 年以后投資新設企業或項目:

          1)線寬<130nm 且經營期在10 年以上的,第 1~2 年免征企業所得稅,第 3~5 年減半征收企業所得稅;

          2)線寬<65nm 或投資 額>150億元,且經營期在15年以上的,第1~5年免征企業所得稅,第6~10年減半征收企業所得稅。2015 年財政部等四部委針對集成電路封測企業、關鍵材料和設備 企業出臺稅收優惠政策,自獲利年度起第1~2年免征企業所得稅,第3~5年減半征收 企業所得稅。


          從地方產業政策來看,多地退出集成電路產業扶持政策及發展規劃,從投融資、企業培育、研發、人才、知識產權、進出口以及政府管理等方面退出一系列政策,對符合要求的企業給予獎勵和研發補助。

          4.中國半導體設備的問題、不足與解決方案


          半導體設備門檻高,投入期長,屬于典型技術和資本密集型行業,技術差距大。打破壟斷、提高國產化率是當務之急。

          我國半導體設備行業面臨以下幾個主要問題:

          1、 研發投入有限,技術差距追趕緩慢。


          近年我國半導體設備雖已取得長足進步,在各個領域已經實現 0 的突破,但是整體 研發投入相對海外依然較低,此外先進工藝節點的不斷推進,使得國內的技術追趕之路困難重重。企業雖然持續加大研發力度,但隨著摩爾定律演進,越先進的工藝制程研發成本就越高,能投入資金跟上腳步的半導體設備廠商已經越來越少,無形中增加了技術追趕的難度。


          解決方案:技術難點的攻克可以通過國家重大專項的推進完成,企業和政府共同承 擔高端設備的技術攻克,減輕企業端的研發投入壓力,同時繼續鼓勵國內新建晶圓廠推動設備的國產化替代,給國內半導體設備廠商試錯與提升的機會。針對不同的半導體設備制定國產化替代節點時間,對企業研發投入進行補貼,并積極利用國內各種融資途徑擴大規模。

          2、高端人才引進不足,核心人才流失,后備人才不足


          人才已經成為中國半導體設備產業成長的瓶頸點,半導體人才的培養是一個漫長的 過程,尤其是在先進工藝、先進技術方面,更是花錢可能也達不到效果的。行業人才薪資相比海外偏低,保證新進人才是延續強勁成長、打破半導體設產業成長瓶頸的關鍵。2018 年全國本碩博畢業生數量超過800 萬人,但集成電路專業領域的高校畢業生中只有 3 萬人進入本行業就業。


          解決方案:積極通過人才引進,股權激勵,政府補助等方式進行高端人才的引進,政府牽頭推進半導體行業的人才培養,通過產學研結合的方式,同時對半導體行業人才的住房等問題上進行政策傾斜。


          科學布局,政府引導合理規劃。集成電路產業發展的初期必須由政府來主導,當前集成電路的產業投資主體分散, 管理主體也非常分散,這對產業發展非常不利。到了目前階段,制定規劃,確立戰略,科學布局,制定政策可能非常重要。政府要管理,但不能管理過度。管理一過度就管死,條條框框增多,政策多門,可能導致效率低下。

          5.半導體材料現狀、問題及應對措施


          半導體材料產業分布廣泛,門類眾多,主要包括晶圓制造用硅和硅基材、光刻膠、高純化學試劑、電子氣體、靶材、拋光液等。以半導體產業鏈上下游來分類,半導體材料可以分為晶圓制造材料和封裝材料。2016 年全球晶圓制造材料和封裝材料市場規模分別為 247 億美元和 196 億美元。我國是全球最大的半導體消費國,也是全球最大的半導體材料需求國。2016 年全球半導體材料市 場規模為 443 億美金,其中中國大陸市場銷售額為 65 億美金,占全球總額的 15%,超過日本、美國等半導體強國,僅次于臺灣、韓國,位列全球第三。


          同半導體設備等配套設施一樣,我國半導體材料也面臨著自給率不足、規模小、高端占比低等問題。與國外企業相比,我國半導體材料企業實力較弱,但隨著 國家政策的支持、國內企業研發和產業投入增加等,各種材料領域均已取得突 破,在逐步實現部分國產替代。下面我們集中就幾種核心的半導體原材料的現狀、面臨的問題以及應對措施進行分析。

          1、硅片:

          硅單晶圓片是最常用的半導體材料,是芯片生產過程中必不可少的、成本占比最高的材料。制造一個芯片,需要先將普通的硅原料制造成硅單晶圓片,然后 再通過一系列工藝步驟將硅單晶圓片制造成芯片。從市場規模上來看,2016 年 全球半導體硅片市場規模為 85 億美元,占半導體制造材料總規模比重達 33%;2016 年國內半導體硅片市場規模為 119 億元人民幣,占國內半導體制造材料 總規模比重達 36%。無論是全球還是國內市場,硅片都是半導體制造上游材料中占比最大的一塊。

          全球最大的 5 家廠商(主要是德國及日本廠商)幾乎囊括了全球 95%的 300mm 硅晶圓片、86%的 200mm 硅晶圓片和 56%的150 mm 及以下尺寸硅晶圓片。這一領域主要由日本廠商壟斷,我國 6 英寸硅片國產化率為 50%, 8 英寸硅片國產化率為10%,12 英寸硅片尚未量產,完全依賴于進口。2017 年全球的集成電路硅片企業中,日本信越化學份額 28%,日本 SUMCO 份額 25%,臺灣環球晶圓份額 17%,德國 Siltronic 份額15%,韓國 LG 9%。這五 家合計占了全球的 94%的份額。

          2、光刻膠:

          半導體光刻膠的市場較大,國產替代需求強烈。2015 年中國光刻膠市場的總 需求為 4390 噸,為 2007 年的 5.7 倍,目前半導體光刻膠的供應廠商要集中 在美國、日本、歐洲以及韓國等地。中國的光刻膠供應廠商多集中于 PCB 光 刻膠、LCD 光刻膠等低端領域。當前國內能夠生產半導體光刻膠的廠商有北京科華微電子和蘇州瑞紅等。

          3、靶材:

          高純濺射靶材主要是指純度為 99.9%-99.9999%(3N-6N 之間)的金屬或非金 屬靶材,應用于電子元器件制造的物理氣象沉積(PVD)工藝,是制備晶圓、面 板、太陽能電池等表面電子薄膜的關鍵材料。濺射是制備薄膜材料的主要技術 之一,它利用離子源產生的離子,在真空中經過加速聚集而形成高速的離子束流,轟擊固體表面,離子和固體表面原子發生動能交換,使固體表面的原子離 開固體并沉積在基底表面,被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料,稱為 濺射靶材。

          在晶圓制作環節,半導體用濺射靶材主要用于晶圓導電層及阻擋層和金屬柵極的制作,主要用到鋁、鈦、銅、鉭等金屬,芯片封裝用金屬靶材于晶圓制作類 似,主要有銅、鋁、鈦等。

          4、濕電子化學品

          濕電子化學品(Wet Chemicals)指為微電子、光電子濕法工藝(主要包括濕法刻蝕、濕法清洗)制程中使用的各種電子化工材料。濕電子化學品按用途可分為通用 化學品(又稱超凈高純試劑)和功能性化學品(以光刻膠配套試劑為代表)。

          其中超凈高純試劑一般要求化學試劑中控制顆粒的粒徑在 0.5μm 以下,雜質含量低 于 ppm 級,是化學試劑中對顆??刂?、雜質含量要求最高的試劑。功能濕電子化學品是指通過復配手段達到特殊功能、滿足制造中特殊工藝需求的配方類或復配類化學品。功能性濕電子一般配合光刻膠用,包括顯影液、漂洗液、剝 離液等。

          2016 年全球濕電子化學品市場規模約為 11.1 億美元。濕電子化學 品作為新能源、現代通信、新一代電子信息技術、新型顯示技術的關鍵化學材 料,其全球市場規模自 21 世紀初開始快速增長。根據 SEMI 數據顯示, 2016 年全球濕電子化學品市場規模約為 11.1 億美元。

          應對措施

          隨著我國半導體產業制造能力的提升,配套原材料的國產化繼續提上日程。集成電路對原材料純度等要求非常高,因為集成電路產品的價值非常高,導致原 材料供應商的選擇非常嚴謹。我們建議對半導體原材料產業加大資源、人力等 投入的同時,可以在政策方面對下游制造企業使用國產化原材料進行補貼,推動下游企業與上游原材料企業共同進步,進口實現產業鏈的全國產化。同時在 新材料研發方面,國家在政策上給相關企業、人才等給予引導和支持。

          免責聲明:本文內容根據國信證券相關報告整理,著作權歸作者所有。本文任何之觀點,皆為交流探討之用,不構成任何投資建議,也不代表本公眾號的立場。如果有任何異議,歡迎聯系國際第三代半導體眾聯空間。

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          本周一(2月10日)泰德蘭電子復工,也是國內許多企業的復工日,但受到疫情的影響,也有部分企業再次推遲....
          的頭像 元器件對應的電子大雜燴 發表于 02-26 15:16 ? 203次 閱讀
          正值開工日 國內半導體企業復工情況究竟如何?泰德蘭電子2月10日正式復工

          精密激光加工技術在運動控制領域的應用研究

          激光制造技術是結合光學、機械、電子電機、計算機等科學與技術整合成的一項新技術,其已在現今社會中被廣泛....
          發表于 02-26 10:05 ? 110次 閱讀
          精密激光加工技術在運動控制領域的應用研究

          臺積電新增1500多個招聘職位 擬全力推進5納米制程

          據媒體報道,雖然全球經濟受到黑天鵝事件的影響,但臺灣企業征才意愿不減。他們指出,臺積電在「臺灣就業通....
          的頭像 半導體動態 發表于 02-26 09:31 ? 385次 閱讀
          臺積電新增1500多個招聘職位 擬全力推進5納米制程

          臺積電擬完整實體半導體的制作流程 正逐步跨界至封測代工領域

          臺積電從原來的晶圓制造代工角色,逐步跨界至封測代工領域(InFO、CoWoS及SoIC等封裝技術),....
          的頭像 半導體動態 發表于 02-25 17:18 ? 515次 閱讀
          臺積電擬完整實體半導體的制作流程 正逐步跨界至封測代工領域

          國星半導體氮化鎵專利已申請200多篇 正積極進行第三代半導體相關的技術儲備

          近日,國星光電在深交所互動易平臺上回答了投資者的問題時表示,硅基AlGaN垂直結構近紫外大功率LED....
          發表于 02-25 15:40 ? 191次 閱讀
          國星半導體氮化鎵專利已申請200多篇 正積極進行第三代半導體相關的技術儲備

          scale-2芯片組的特性特點及應用分析

          scale-2芯片組是專門為適應當今igbt與功率mosfet柵驅動器的功能需求而設計的。這些需求包....
          發表于 02-25 10:28 ? 97次 閱讀
          scale-2芯片組的特性特點及應用分析

          如何提高壓力變送器的抗干擾能力

          壓力變送器主要是利用電容的變動原理設計而成,其主要作用原理是測試一下有溫度的液位的壓力壓強等等,壓力....
          發表于 02-25 08:43 ? 23次 閱讀
          如何提高壓力變送器的抗干擾能力

          2020年PC出貨量將出現大幅下滑,蘋果正研發環繞觸摸屏全玻璃……

          2020年PC出貨量將出現大幅下滑 市場調研機構Canalys給出的最新報告顯示,預計2020全球P....
          發表于 02-25 08:28 ? 449次 閱讀
          2020年PC出貨量將出現大幅下滑,蘋果正研發環繞觸摸屏全玻璃……

          Omdia速報:半導體行業免于冠狀病毒爆發的直接影響

          全球芯片供應鏈到2020年最初兩個月似乎大致不會受到冠狀病毒爆發的影響。
          發表于 02-25 07:48 ? 333次 閱讀
          Omdia速報:半導體行業免于冠狀病毒爆發的直接影響

          半導體公司收購不斷,Synopsys收購Terrain EDA

          據外媒報道,納斯達克上市的電子設計自動化公司Synopsys Inc.已收購了半導體初創公司Terr....
          的頭像 汽車玩家 發表于 02-24 22:38 ? 826次 閱讀
          半導體公司收購不斷,Synopsys收購Terrain EDA

          韓國半導體受疫情一下,中國半導體迎新發展機遇

          繼日本之后,新冠病毒的“魔爪”又伸向韓國,目前韓國已經進入了抗疫的緊要關頭,而疫情之下,不少韓國企業....
          的頭像 汽車玩家 發表于 02-24 21:20 ? 1308次 閱讀
          韓國半導體受疫情一下,中國半導體迎新發展機遇

          高云半導體EDA開發工具增加了對Ubuntu的支持

          高云半導體國際營銷總監Grant Jennings表示:“在傳統FPGA上開發邊緣推理解決方案時,A....
          的頭像 倩倩 發表于 02-24 14:53 ? 306次 閱讀
          高云半導體EDA開發工具增加了對Ubuntu的支持

          2020年半導體技術會有怎么樣的發展

          2019年是全球半導體行情最壞的時代,同時也是最好的時代。正所謂大浪淘沙、沉者為金,在經過了一輪市場....
          的頭像 Wildesbeast 發表于 02-24 14:50 ? 610次 閱讀
          2020年半導體技術會有怎么樣的發展

          通富微電擬定增募資40億拓展集成電路業務,布局5G、汽車、處理器等領域

          通富微電2月21日發布定增預案顯示,公司擬向不超過35名特定對象發行不超過3.4億股股份(含本數),....
          的頭像 Carol Li 發表于 02-24 11:12 ? 1639次 閱讀
          通富微電擬定增募資40億拓展集成電路業務,布局5G、汽車、處理器等領域

          常見芯片封裝技術匯總

          [table] [tr][td] 元件封裝起著安裝、固定、密封、保護芯片及增強電熱性能等方面的作用。同時,通過芯片上的接點用導線連接到...
          發表于 02-24 09:45 ? 262次 閱讀
          常見芯片封裝技術匯總

          異構96核芯片有望得到推廣

          異構計算正大行其道,更多不同類型的芯片需被集成在一起,而依靠縮小線寬的辦法已經無法同時滿足性能、功耗....
          的頭像 汽車玩家 發表于 02-23 21:08 ? 366次 閱讀
          異構96核芯片有望得到推廣

          全球半導體聯盟(GSA)董事會任命三位新成員 實現持續拓展的使命

          全球半導體聯盟(Global Semiconductor Alliance,以下簡稱GSA)任命微軟....
          的頭像 inr999 發表于 02-23 14:45 ? 912次 閱讀
          全球半導體聯盟(GSA)董事會任命三位新成員 實現持續拓展的使命

          多家公司布局芯片領域,3nm制程進展順利

          消息面上,半導體和無線技術解決方案供應商高通公司近日正式推出第三代 5G 基帶芯片驍龍 X60,這是....
          的頭像 汽車玩家 發表于 02-21 20:50 ? 886次 閱讀
          多家公司布局芯片領域,3nm制程進展順利

          光刻機行業需求空間廣闊,國產設備有優勢嗎?

          光刻機技術壁壘高且投資占比大,芯片尺寸的縮小以及性能的提升依賴于光刻技術的發展。
          的頭像 汽車玩家 發表于 02-21 20:47 ? 1170次 閱讀
          光刻機行業需求空間廣闊,國產設備有優勢嗎?

          去年ASML光刻機出貨26臺,新一代極紫外光刻機研發中

          在晶圓代工龍頭臺積電將于2020年正式量產5納米制程,而競爭對手三星也在追趕的情況下,目前兩家公司也....
          的頭像 汽車玩家 發表于 02-21 20:05 ? 541次 閱讀
          去年ASML光刻機出貨26臺,新一代極紫外光刻機研發中

          華為等多家公司積極布局第三代半導體

          據科創板日報報道,其記者獲悉,不僅是小米、OPPO,華為、三星、蘋果均在GaN技術上有著較深的積累。
          的頭像 汽車玩家 發表于 02-20 21:44 ? 1230次 閱讀
          華為等多家公司積極布局第三代半導體

          光刻機公開全部圖紙也模仿不了

          眾所周知,說起芯片,大家就會想到光刻機,說起光刻機,大家就會想到ASML。因為在芯片生產中,光刻機特....
          的頭像 汽車玩家 發表于 02-20 20:30 ? 492次 閱讀
          光刻機公開全部圖紙也模仿不了

          蘋果未有砍單動作,半導體供應鏈正常

          蘋果18日發布投資人更新報告,由于疫情影響在大陸供應鏈及銷售,預期無法達成1月底時提出的第一季營收展....
          的頭像 汽車玩家 發表于 02-20 16:59 ? 486次 閱讀
          蘋果未有砍單動作,半導體供應鏈正常

          TrendForce全面分析COVID-19爆發對全球高科技產業的影響

          以下分析顯示了TrendForce在COVID-19爆發的影響下對關鍵組件和其他下游技術行業的調查,....
          的頭像 劉偉DE 發表于 02-18 11:16 ? 1805次 閱讀
          TrendForce全面分析COVID-19爆發對全球高科技產業的影響

          表面附著三防漆SOT23封裝的三極管應該如何拆

          有些電子產品的電路板為了防潮、防塵、防腐蝕,在其表面噴涂了一層三防漆,這樣漆膜固化后便會在電路板上各....
          的頭像 Wildesbeast 發表于 02-17 19:47 ? 511次 閱讀
          表面附著三防漆SOT23封裝的三極管應該如何拆

          半導體名詞解釋(三)

          184) Short Channel Effect  短通道效應當MOS組件愈小,信道的長度將隨之縮短,電晶體的操作速度將加快,但是,...
          發表于 02-17 12:20 ? 295次 閱讀
          半導體名詞解釋(三)

          半導體名詞解釋(一)

          1) Acetone 丙酮丙酮是有機溶劑的一種,分子式為CH3COCH3性質:無色,具剌激性薄荷臭味的液體用途:在FAB內的用途,主...
          發表于 02-17 12:05 ? 253次 閱讀
          半導體名詞解釋(一)

          半導體企業逐漸復工,疫情下正常生產

          當下新型冠狀病毒引發的肺炎疫情還在持續,不少行業和企業的復工受到疫情影響,甚至業績受損,但中芯國際的....
          的頭像 21克888 發表于 02-15 12:36 ? 2210次 閱讀
          半導體企業逐漸復工,疫情下正常生產

          如何選購智能指紋鎖

          優質的指紋鎖,一定會有一個優秀的設計團隊為其打造外形,在現階段的指紋鎖市場,不凡有些小廠商,用一些公....
          的頭像 Wildesbeast 發表于 02-15 10:20 ? 475次 閱讀
          如何選購智能指紋鎖

          應用材料公司發布2020財年第一季度財務報告

          2020財年第一季度收入41.6億美元,同比增長11% 第一季度GAAP每股盈余為0.96美元,非G....
          的頭像 inr999 發表于 02-14 12:34 ? 1548次 閱讀
          應用材料公司發布2020財年第一季度財務報告

          區塊鏈板塊集體爆發,雄岸科技盤中一度漲逾20%!

          港股市場今日整體呈現高開低走行情,主要股指皆弱勢下跌。截止收盤,恒指跌0.34%報27730點;國指....
          的頭像 倩倩 發表于 02-14 07:28 ? 1246次 閱讀
          區塊鏈板塊集體爆發,雄岸科技盤中一度漲逾20%!

          先區塊鏈又消毒劑,深交所二問安諾其:蹭熱點炒股價?

          上市公司利用自身優勢以緩解疫情防控物資緊缺本是好事,而涉嫌乘機“蹭熱點”炒作股價的也引來了監管的關注....
          的頭像 倩倩 發表于 02-14 07:15 ? 691次 閱讀
          先區塊鏈又消毒劑,深交所二問安諾其:蹭熱點炒股價?

          MAX6636的工作原理、性能特點及如何實現多點溫度監測的設計

          MAX6636是一個多通道的精密溫度監測器,它不僅能監測本地溫度,并且外部最多能接6個二極管。每一通....
          的頭像 牽手一起夢 發表于 02-12 16:46 ? 482次 閱讀
          MAX6636的工作原理、性能特點及如何實現多點溫度監測的設計

          新冠肺炎下,半導體行業之殤

          2019年,全球半導體行業處于巨大的衰退之中??v觀半導體產業的歷史,結束衰退需要創新技術的到來。5G....
          發表于 02-12 08:00 ? 1166次 閱讀
          新冠肺炎下,半導體行業之殤

          瑞芯微重點布局人工智能、智能物聯等領域

          瑞芯微由勵民、黃旭共同創辦,自成立以來,勵民、黃旭一直為公司控股股東及實際控制人,本次發行后,公司實....
          的頭像 倩倩 發表于 02-12 07:09 ? 1013次 閱讀
          瑞芯微重點布局人工智能、智能物聯等領域

          三極管常用封裝的引腳排列

          三極管具有三個引腳,定義分別為基極b、集電極c、發射極e,在設計電路和設計封裝時,這三個引腳的順序必....
          的頭像 陳翠 發表于 02-12 02:31 ? 792次 閱讀
          三極管常用封裝的引腳排列

          重磅!應對肺炎疫情,深圳十六條舉措支持企業共渡難關!

          日前,深圳市出臺了應對新型冠狀病毒感染的肺炎疫情,支持企業共渡難關的若干措施。主要有十六條舉措。 一....
          發表于 02-10 18:33 ? 878次 閱讀
          重磅!應對肺炎疫情,深圳十六條舉措支持企業共渡難關!

          研究鈣鈦礦半導體薄膜發現具有同步輻射光源特色

          近年來,鈣鈦礦半導體材料的發展對光轉換應用的進展產生了明顯的積極影響,目前已在場發射晶體管、太陽能電....
          發表于 02-08 19:19 ? 201次 閱讀
          研究鈣鈦礦半導體薄膜發現具有同步輻射光源特色

          求EP4CE10F17BGA封裝

          發表于 12-16 15:36 ? 328次 閱讀
          求EP4CE10F17BGA封裝

          關于200G QSFP-DD SR8,你了解多少?

          由于互聯網巨頭數據中心內部流量每年增長幅度接近100%,不少部署數據中心較早的互聯網巨頭,會謀求盡快獲得200G,但也有不少企業...
          發表于 12-06 16:50 ? 113次 閱讀
          關于200G QSFP-DD SR8,你了解多少?

          調用DLL時,什么情況下使用調用庫函數節點,什么情況下使用構造器節點

          這兩種程序我都見過,但不知道為什么同樣是調用DLL文件,會有不同的方法,我看網上調用C#做的DLL都是用構造器節點,難道是...
          發表于 12-04 20:33 ? 263次 閱讀
          調用DLL時,什么情況下使用調用庫函數節點,什么情況下使用構造器節點

          急求TO252封裝文件 DXP

          謝謝 各位   如題  
          發表于 11-30 15:56 ? 419次 閱讀
          急求TO252封裝文件  DXP

          inffneon的 1腳接地,11腳接 12伏,2腳輸出,dip14封裝是什么集成電路?

          infneon的 1腳接地,11腳接 12伏,2腳輸出,dip14封裝是什么集成電路? ...
          發表于 11-27 19:01 ? 493次 閱讀
          inffneon的 1腳接地,11腳接 12伏,2腳輸出,dip14封裝是什么集成電路?

          如何區分高度本征和高度補償半導體?

          如何區分高度本征和高度補償半導體?
          發表于 11-26 15:00 ? 583次 閱讀
          如何區分高度本征和高度補償半導體?

          ABA-52563 低噪聲寬帶硅RFIC放大器

          ABA-52563是一款通用5V硅寬帶RFIC放大器,采用工業標準SOT-363(6引腳SC70)封裝。該器件具有高增益,良好的線性度和高達3.5 GHz的平坦寬帶頻率響應。特性 在2GHz時,ABA-52563的增益為21dB,OIP3高達在5V / 34mA偏置時,20dBm和10dBm的P1dB。內部輸入和輸出50歐姆匹配使其易于使用,設計工作量很小,使其成為無線通信市場中頻,緩沖和通用放大器的絕佳選擇。
          發表于 07-04 09:57 ? 67次 閱讀
          ABA-52563 低噪聲寬帶硅RFIC放大器

          MGA-31389 高增益驅動放大器50MHz - 2GHz

          MGA-31389是一款0.10W高增益驅動放大器MMIC,適用于50 MHz至2.0 GHz的應用,采用SOT-89標準塑料封裝。 它是Broadcom增益模塊系列之一,具有高線性度,高增益,出色的增益平坦度和低功耗特性。 MGA-31389是一款0.10W增益模塊解決方案,針對頻率進行了優化,可提供卓越的RF性能。這個高增益0.10W增益模塊系列有2個器件。 MGA-31389適用于50 MHz至2.0 GHz的應用,而MGA-31489適用于1.5 GHz至3.0 GHz,因此覆蓋了所有主要的蜂窩頻段 - mdash; GSM,CDMA和UMTS—加上下一代LTE頻段。 通用的封裝和PCB布局允許單一設計支持多種頻率和地域市場,并可選擇輸出功率。這些器件還具有高增益,可以減少所需的RF級總數。 特點 符合ROHS 無鹵素 低直流偏置功率時的高IP3 高增益,增益平坦度好 低噪聲圖 高級增強模式PHEMT技術 產品規格的一致性非常好 SOT-89標準包...
          發表于 07-04 09:56 ? 16次 閱讀
          MGA-31389 高增益驅動放大器50MHz  -  2GHz

          ABA-53563 低噪聲寬帶硅RFIC放大器

          ABA-53563是一款通用型5V硅寬帶RFIC放大器,采用工業標準SOT-363(6引腳SC70)封裝。該器件具有高增益,良好的線性度和高達3.5 GHz的扁平寬帶頻率響應。特性 在2GHz時,ABA-53563可提供21dB的增益,OIP3可達到5V / 45mA偏置時,23dBm和P1dB為13dBm。內部輸入和輸出50歐姆匹配使其易于使用,設計工作量很小,使其成為無線通信市場中頻,緩沖和通用放大器的絕佳選擇。
          發表于 07-04 09:56 ? 56次 閱讀
          ABA-53563 低噪聲寬帶硅RFIC放大器

          MGA-31289 0.25W高增益驅動放大器

          MGA-31289是一款0.25W高增益驅動放大器MMIC,適用于1.5 GHz至3.0 GHz的應用,采用SOT-89標準塑料封裝。 它是Broadcom增益模塊系列之一,具有高線性度,高增益,出色的增益平坦度和低功耗特性。 MGA-31289是一款0.25W增益模塊解決方案,針對頻率進行了優化,可提供卓越的RF性能。此高增益0.25W增益模塊系列有2個器件。 MGA-31189適用于50 MHz至2.0 GHz的應用,而MGA-31289適用于1.5 GHz至3.0 GHz,因此覆蓋了所有主要的蜂窩頻段 - mdash; GSM,CDMA和UMTS—加上下一代LTE頻段。 通用的封裝和PCB布局允許單一設計支持多種頻率和地域市場,并可選擇輸出功率。這些器件還具有高增益,可以減少所需的RF級總數。 特性 符合ROHS 無鹵素 低直流偏壓時的高線性度 高增益 良好的增益平坦度 低噪聲圖 產品規格的優異均勻性 SOT-89標準包裝...
          發表于 07-04 09:56 ? 34次 閱讀
          MGA-31289 0.25W高增益驅動放大器

          MGA-30889 40MHz - 2600MHz平坦增益高線性度增益模塊

          MGA-30689是寬帶,平坦增益,高線性度 通過使用Broadcom的專有0.25um GaAs增強模式pHEMT工藝實現增益模塊MMIC放大器。 該器件需要簡單的直流偏置元件才能實現寬帶寬性能。 特性 高線性度 產品規格的優異均勻性 內置溫度補償內部偏置電路 不需要 RF 匹配組件 標準 SOT89 封裝 MSL-2和無鉛無鹵素 用于基站應用的高MTTF 應用 中頻放大器,射頻驅動放大器 通用增益模塊
          發表于 07-04 09:56 ? 44次 閱讀
          MGA-30889 40MHz  -  2600MHz平坦增益高線性度增益模塊

          MGA-82563 3V驅動器放大器,17dBm P1dB,低噪聲,0.1-6GHz,SOT363(SC-70)

          MGA-82是3V器件,具有17dBm P1dB。它采用微型SOT-363封裝,專為3V驅動放大器應用而設計。偏壓:3V,84mA;增益= 13dB; NF = 2.2dB; P1dB = 17.3dBm;所有2GHz的IP3i = 14dB。
          發表于 07-04 09:56 ? 86次 閱讀
          MGA-82563 3V驅動器放大器,17dBm P1dB,低噪聲,0.1-6GHz,SOT363(SC-70)

          MGA-31589 0.5W高增益驅動放大器

          MGA-31589是一款0.5W高增益驅動放大器MMIC,適用于450 MHz至1.5 GHz的應用,采用SOT-89標準塑料封裝。 它是Broadcom增益模塊系列之一,具有高線性度,高增益,出色的增益平坦度和低功耗特性。 特性 符合ROHS 無鹵素 低直流偏置功率下的高線性度 高增益 低噪聲圖 高OIP3 高級增強模式PHEMT技術 產品規格的優異均勻性 SOT-89標準包
          發表于 07-04 09:56 ? 34次 閱讀
          MGA-31589 0.5W高增益驅動放大器

          MGA-87563 3V LNA,4.5mA低電流,0.5-4GHz,SOT363(SC-70)

          MGA-87是一款3V器件,在低至4.5GHz的低電流下具有低噪聲系數。它采用微型SOT-363封裝,專為3V低噪聲放大器應用而設計。偏壓:3V,4mA;增益= 14dB; NF = 1.5dB; P1dB = 0dBm; IP3i = -4均為2GHz。
          發表于 07-04 09:56 ? 58次 閱讀
          MGA-87563 3V LNA,4.5mA低電流,0.5-4GHz,SOT363(SC-70)

          MGA-31489 高增益驅動放大器1.5GHz - 3GHz

          MGA-31489是一款0.10W高增益驅動放大器MMIC,適用于1.5 GHz至3.0 GHz的應用,采用SOT-89標準塑料封裝。 它是Broadcom增益模塊系列之一,具有高線性度,高增益,出色的增益平坦度和低功耗特性。 MGA-31489是一款0.10W增益模塊解決方案,針對頻率進行了優化,可提供卓越的RF性能。這個高增益0.10W增益模塊系列有2個器件。 MGA-31389適用于50 MHz至2.0 GHz的應用,而MGA-31489適用于1.5 GHz至3.0 GHz,因此覆蓋了所有主要的蜂窩頻段 - mdash; GSM,CDMA和UMTS—加上下一代LTE頻段。 通用的封裝和PCB布局允許單一設計支持多種頻率和地域市場,并可選擇輸出功率。這些器件還具有高增益,可以減少所需的RF級總數。 特性 符合ROHS 無鹵素 低直流偏置電源下的高IP3 高增益,增益平坦度好 低噪聲圖 高級增強模式PHEMT技術 產品規格的優異均勻性 SOT- 89標準包...
          發表于 07-04 09:56 ? 19次 閱讀
          MGA-31489 高增益驅動放大器1.5GHz  -  3GHz

          MGA-30116 750MHz - 1GHz 1/2瓦高線性放大器

          Broadcom’ MGA-30116是一種高線性度和壓裂12; Watt PA具有良好的OIP3性能,在p1dB增益壓縮點具有極佳的PAE,通過使用Broadcom’專有的0.25um GaAs增強模式pHEMT工藝。 特性 高線性度和P1dB 在負載條件下無條件穩定 內置可調溫度補償內部偏置電路 GaAs E-pHEMT技術[1] 標準QFN 3X3封裝 5V電源 產品規格的均勻性非常好 可提供卷帶包裝選項 MSL-1和無鉛 點MTTF> 120°時的300年; C通道溫度 應用 用于GSM / CDMA基站的A類驅動放大器。 通用增益塊。...
          發表于 07-04 09:56 ? 36次 閱讀
          MGA-30116 750MHz  -  1GHz 1/2瓦高線性放大器

          MGA-81563 0.1-6 GHz 3 V,14 dBm放大器

          Broadcom的MGA-81563是一款經濟實惠,易于使用的GaAs MMIC放大器,可為應用提供出色的功率和低噪聲等特性從0.1到6 GHz。 MGA-81563采用超小型SOT-363封裝,占用SOT-143封裝的一半電路板空間,專為3V驅動放大器應用而設計。 功能 可用無鉛選項 2.0 GHz時+14.8 dBm P1dB 2.0 GHz時+17 dBm Psat 單+ 3V電源 2.8 dB噪聲系數2.0 GHz 12.4 dB增益2.0 GHz 超小型封裝 無條件穩定 應用程序 用于PCS,PHS,ISM,SATCOM和 WLL應用程序的緩沖區或驅動程序放大器 高動態范圍LNA...
          發表于 07-04 09:56 ? 110次 閱讀
          MGA-81563 0.1-6 GHz 3 V,14 dBm放大器

          MGA-545P8 適用于5-6GHz系統的低電流22dBm中等功率放大器,適用于LPCC2x2

          MGA-545P8是一款經濟實惠,易于使用的GaAs E-pHEMT MMIC中功率放大器,采用8引腳LPCC(JEDEC DFP-N)封裝,非常適合用作802.11a網卡和AP中的驅動放大器,以及5-6GHz固定無線接入的輸出放大器。雖然針對5.8GHz應用進行了優化,但該器件在1-6 GHz頻率范圍內具有出色的RF性能,功效和產品一致性。 通過簡單的輸入匹配,MGA-545P8提供飽和功率輸出為22dBm,5.8GHz時飽和增益為9.5dB,直流偏置僅需3.3V / 92mA,功率附加效率為46%。在線性模式下,該器件可為802.11a系統提供11.5dB和16dBm線性Pout的小信號增益,滿足5.6%EVM。特性 熱效封裝尺寸僅為2mm x 2mm x 0.75mm。其背面金屬化提供了出色的散熱性能以及焊料回流的可視證據。該器件的點MTTF超過300年,安裝溫度為85 o C....
          發表于 07-04 09:56 ? 69次 閱讀
          MGA-545P8 適用于5-6GHz系統的低電流22dBm中等功率放大器,適用于LPCC2x2

          MGA-30789 2-6GHz高線性度增益模塊

          MGA-30789是一個寬帶,高線性度 增益模塊MMIC放大器使用Broadcom的專有0.25um GaAs增強模式pHEMT工藝。 該器件需要簡單的直流偏置元件才能實現寬帶寬性能。 特性 高線性度 產品規格的優異均勻性 內置溫度補償內部偏置電路 不需要 RF 匹配組件 標準 SOT89 封裝 MSL-2和無鉛無鹵素 用于基站應用的高MTTF 應用 射頻驅動放大器 通用增益模塊
          發表于 07-04 09:55 ? 69次 閱讀
          MGA-30789 2-6GHz高線性度增益模塊

          MGA-31189 0.25W高增益驅動放大器

          MGA-31189是一款0.25W高增益驅動放大器MMIC,適用于50 MHz至2.0 GHz的應用,采用SOT-89標準塑料封裝。 它是Broadcom增益模塊系列之一,具有高線性度,高增益,出色的增益平坦度和低功耗特性。 MGA-31189是一款0.25W增益模塊解決方案,針對頻率進行了優化,可提供卓越的RF性能。此高增益0.25W增益模塊系列有2個器件。 MGA-31189適用于50 MHz至2.0 GHz的應用,而MGA-31289適用于1.5 GHz至3.0 GHz,因此覆蓋了所有主要的蜂窩頻段 - mdash; GSM,CDMA和UMTS—加上下一代LTE頻段。 通用的封裝和PCB布局允許單一設計支持多種頻率和地域市場,并可選擇輸出功率。這些器件還具有高增益,可以減少所需的RF級總數。 特性 符合ROHS 無鹵素 低直流偏置功率下的極高線性度 高增益 良好的增益平坦度 低噪聲圖 產品規格的優異均勻性 SOT-89標準包裝...
          發表于 07-04 09:55 ? 52次 閱讀
          MGA-31189 0.25W高增益驅動放大器

          MGA-621P8 700MHz - 1.5GHz低噪聲放大器

          MGA-621P8是一款經濟實惠,易于使用的GaAs MMIC低噪聲放大器(LNA)器件。該器件設計用于700 MHz至1.5 GHz頻率范圍內的最佳使用,并采用微型2.0x2.0x0.75mm 3 8引腳雙扁平無引線( DFN)封裝。 特性 高線性性能 低噪聲系數 低成本小封裝尺寸 集成斷電控制引腳 應用 用于小型蜂窩基站應用的LNA 其他低噪聲射頻應用
          發表于 07-04 09:55 ? 59次 閱讀
          MGA-621P8 700MHz  -  1.5GHz低噪聲放大器

          MGA-725M4 具有旁路開關的3V LNA,2至14dBm可調節IIP3,MiniPak封裝

          MGA-725M4是一款低噪聲放大器,內置旁路開關,采用微型無引線封裝。它采用MiniPak 1412封裝,專為3V蜂窩/ PCS應用而設計,例如: CDMA手機中的LNA和驅動放大器。偏壓:3V,20mA;增益= 14.4dB; NF = 1.4dB;所有2GHz的IP3i = 9.9dBm。
          發表于 07-04 09:54 ? 140次 閱讀
          MGA-725M4 具有旁路開關的3V LNA,2至14dBm可調節IIP3,MiniPak封裝

          MGA-634P8 超低噪聲,高線性度低噪聲放大器

          Broadcom’ MGA-634P8是一款經濟,易于使用的GaAs MMIC低噪聲放大器(LNA),通過使用Broadcom專有的0.25um GaAs增強模式pHEMT工藝實現了低噪聲和高線性度。 MGA-634P8低噪聲放大器是Broadcom超低噪聲,高增益,高線性度砷化鎵(GaAs)低噪聲放大器系列的最新成員,旨在用作蜂窩基站收發器無線電的第一級LNA卡,塔頂放大器(TMA),合路器,中繼器和遠程/數字無線電頭。 MGA-634P8高線性低噪聲放大器特點: • 1500 MHz到2300 MHz操作 –同類最佳NF:0.44 dB @ 1900 MHz –高線性度:36 dBm OIP3 –高增益:17.4 dB &ndash ; 21 dBm OP1dB @ 1900 MHz •單5V電源和48mA低功耗 – 240 mW • Broadcom&rs的通用封裝和匹配網絡現狀MGA-63xP8系列 –簡化不同頻率的PCB設計和工程 功能 Ultra Low noise Figure 高線性性能 GaAs E-pHEMT技術 低成本小封裝尺寸:2.0x2.0x0.75mm 3 產品規格的優異均勻性 可提供卷帶包裝選項 應用 低噪音用于GSM,TDS-CDMA和CDMA蜂窩基礎設施的放大器 其他超低噪聲應用...
          發表于 07-04 09:53 ? 66次 閱讀
          MGA-634P8 超低噪聲,高線性度低噪聲放大器

          ALM-2203 SDARS LNA濾波器模塊

          Broadcom ALM-2203是一款微型高度集成的LNA濾波器RFIC模塊。該模塊旨在使衛星數字音頻無線電服務(SDARS)信號與現代汽車中常見的蜂窩,WiFi,藍牙和GPS信號共存。 該模塊集成了三個低噪聲放大器(LNA)采用微型5x5x0.95mm封裝的Film Bulk Acoustic Resonator(FBAR)濾波器。該模塊具有低噪聲系數,高增益和低電流消耗,非常適用于關鍵的低功耗衛星數字音頻無線電服務(SDARS)無線電系統。   功能 高級OOB P1dB,支持SDARS與蜂窩/ WiFi / GPS共存 高度集成的芯片模塊,降低BOM成本和設計時間 低噪聲系數(NF)增強SDARS接收器靈敏度 適用于帶集成蜂窩/ WiFi發射器的SDARS天線 緊湊且完全匹配的5x5x0.95mm適用于鯊魚的包裝-fin型天線     應用程序 SDARS Radio系統 &NBSP;...
          發表于 07-04 09:53 ? 121次 閱讀
          ALM-2203 SDARS LNA濾波器模塊

          MGA-86563 5V LNA,20dB高增益,0.5-6GHz,SOT363(SC-70)

          MGA-86是5V部件,具有高增益和低噪聲系數。它采用微型SOT-363封裝和70 mil陶瓷封裝,專為5V低噪聲放大器應用而設計。偏壓:5V,16mA;增益= 20dB; NF = 2dB; P1dB = 6dBm; IP3i = -4dB均為2GHz。
          發表于 07-04 09:53 ? 132次 閱讀
          MGA-86563 5V LNA,20dB高增益,0.5-6GHz,SOT363(SC-70)

          MGA-71543 帶旁路開關的3V LNA,0至9dBm可調節IIP3,SOT343(SC-70)

          MGA-71543是一款內置旁路開關的低噪聲放大器。它采用微型SOT-343封裝,專為3V蜂窩/ PCS應用而設計,例如: CDMA手機中的LNA和驅動放大器。偏置3V,10mA:增益= 16dB; NF = 1.1dB;所有在2GHz時IIP3 = 4.3dB。在旁路模式下:插入損耗= 5.6dB; IIP3 = 35dBm。
          發表于 07-04 09:53 ? 124次 閱讀
          MGA-71543 帶旁路開關的3V LNA,0至9dBm可調節IIP3,SOT343(SC-70)
          2019中文字幕视频
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