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        1. 侵權投訴

          在新型冠狀病毒肆虐下國內半導體企業現況如何

          2020-02-06 17:02 ? 次閱讀

          在新型肺炎疫情沖擊之下,鼠年的首個交易日,A股市場遭遇“至暗時刻”。不過僅一個交易日,隨著恐慌釋放,A股出現大幅反彈并展開震蕩,半導體概念股更是領漲,北方華創、芯源微、樂鑫科技、聚辰股份、匯頂科技、上海新陽等十多家半導體股票漲幅超10%。

          自2019年下半年起,在5G、人工智能、物聯網、消費電子等需求的帶動下,國內半導體市場強勢復蘇,CIS、NOR Flash、PMIC、藍牙芯片、模擬IC、指紋識別芯片、MOS、IGBT等市場需求旺盛,部分芯片甚至出現漲價缺貨的情況,中芯國際、華虹宏力等晶圓廠以及長電科技、華天科技、晶方科技、通富微電等封測廠同步受惠,訂單爆滿、紛紛滿載。

          因此,盡管受到國內新型冠狀病毒肺炎疫情影響,2020年春節后半導體廠商開工或將向后推遲,但在5G、物聯網等需求帶動下,據多名業內人士表示,公司訂單情況仍然飽滿,各大分析機構認為,疫情對國內半導體產業的影響有限。

          國內晶圓廠運營正常

          值得一提的是,推遲復工的企業并不包括晶圓廠,由于行業特殊性,晶圓廠需要常年開動,不能輕易停工,春節仍需保持部分員工在崗以維持產線運作狀態。

          據了解,目前,中芯國際、華虹半導體、粵芯半導體、長江存儲、積塔半導體、武漢新芯、臺積電等晶圓廠紛紛表示,其生產運營正常,無停工停產現象,員工零感染。

          除晶圓廠外,國內IDM廠商士蘭微也表示,士蘭集成6英寸工廠和士蘭集昕8英寸工廠春節期間正常運轉,生產井然有序,產量維持在正常時期的90%。

          不過,作為湖北上市公司臺基股份則表示,為了積極配合目前新型冠狀病毒肺炎的疫情防控工作,確保及早戰勝疫情,根據湖北省及襄陽市政府《切實加強新型冠狀病毒疫情防控工作》的要求,臺基股份春節后的復工時間暫時延遲至2月13日以后,具體復工時間我們會根據政府相關通知以及疫情情況另行通知。

          除生產線未曾停工外,多數半導體廠商其他部門員工也在2月3日開啟了遠程辦公,基本保障了企業的正常運轉。

          提前復工,助力疫情防控工作

          同時,隨著新型肺炎疫情的蔓延,口罩、紅外測溫儀、防護衣等各種防疫物資頻頻告急,紅外溫度傳感器作為紅外體溫計的核心器件也面臨巨大的需求。為此,上海微技術工業研究院積極響應國家抗擊疫情號召,傳感器團隊在春節期間開始工作,為紅外體溫計生產企業提供大量傳感器產品。

          目前,上海微技術工業研究院8英寸線2月2日正式開工,為紅外體溫計生產企業提供大量傳感器產品。8英寸線當前產能是6萬顆/天,全面復工后可達13萬顆/天,這將為國內紅外體溫計生產企業提供充足的傳感器產品。

          華虹半導體也表示,疫情防控工作堅強有序,全體員工無一例感染,生產經營安全正常,并已突擊安排疫情防控所需的紅外手持測溫儀和大型紅外成像監控和測溫儀的芯片出貨保障。

          在上游材料環節,作為國內紅外鍺單晶的主要供貨商,有研新材子公司有研光電在接到測溫儀廠家的緊急訂單后,第一時間向政府申請了提前復工,全力投入應急產品生產。

          有研光電總經理霍承松表示,自接到緊急生產任務后,公司鍺單晶片生產線開始進行生產前的準備工作,包括調試設備、準備原輔材料。2月2日開始生產,每天產能3000片,一周之內完成2萬片的緊急訂單不成問題。

          為配合防控疫情物資訂單需求,風華高科組織500名員工加班加點生產疫區急需電容產品,蘇州固锝也在大年初一緊急出貨熱成像測溫儀用元器件……

          招工難或將成為勞動密集型企業一大阻礙

          為探訪本次疫情對半導體產業鏈上的公司有何影響,集微網記者以投資者的身份致電了中環股份、華天科技等半導體企業進行問詢。

          作為國內半導體硅片的主要供應商,中環股份表示,由于公司生產的特殊性,公司是采用輪班的方式上班,生產線完全不停工,疫情主要是對國家的宏觀經濟產生影響,對于公司生產經營的影響較小,除部分管理人員值班外,管理科室均在家辦公。

          華天科技表示,公司目前還沒復工,正在做復工前的準備,天水工廠計劃過兩天復工,昆山和南京工廠計劃于2月9日復工,在訂單方面,與年前并未發生大的變化。

          值得一提的是,由于疫情還在不斷蔓延,多數制造廠將會面臨招工難的問題,對此,華天科技表示,公司也存在招工難的問題,在沒有疫情的情況下,公司會“主動出擊”去招工,但發生疫情后,公司只能通過網絡或者電話招聘,不能大規模外出招人。

          據了解,目前,許多IC設計企業已經開啟了遠程辦公模式,晶圓廠方面,由于在超凈環境且自動化較高,在春節期間國內各大晶圓廠均處于正常運轉狀態,因此,國內IC設計以及制造環節受影響程度有限。不過,半導體封測廠商屬于勞動密集型企業,盡管訂單飽滿,但在疫情爆發期間,用工需求大且招工難問題恐影響公司產能擴張。

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          中國聯通推出千元以下的5G CPE VN007,同時支持4G /5G無線及有線

          在今天的“5G所向 價值所往”2020紫光展銳線上發布會上,中國聯通正式發布了5G CPE VN00....
          的頭像 牽手一起夢 發表于 02-26 16:23 ? 590次 閱讀
          中國聯通推出千元以下的5G CPE VN007,同時支持4G /5G無線及有線

          海信首款5G手機F50正式發布 搭載紫光展銳虎賁T7510

          2月26日消息,在今天舉辦的2020紫光展銳春季線上發布會上,海信電子信息集團副總裁、青島海信通信有....
          的頭像 工程師鄧生 發表于 02-26 16:22 ? 422次 閱讀
          海信首款5G手機F50正式發布 搭載紫光展銳虎賁T7510

          中國聯通與廣和通合作,遠程簽約儀式成亮點

          近來,大部分行業企業陸續復工復產,并在防控到位的基礎上,將復工復產效率提升至最高,進而為共戰疫情提供....
          的頭像 汽車玩家 發表于 02-26 16:19 ? 310次 閱讀
          中國聯通與廣和通合作,遠程簽約儀式成亮點

          紫光展銳重磅發布新一代5G SoC虎賁T7520,六大亮點集于一身

          紫光展銳今日正式發布新一代5G SoC移動平臺虎賁T7520,以先進的工藝、新一代低功耗設計,大幅提....
          發表于 02-26 16:09 ? 442次 閱讀
          紫光展銳重磅發布新一代5G SoC虎賁T7520,六大亮點集于一身

          物聯網安全策略你懂得幾個

          物聯網安全性與IT安全性有所不同,行業專家就如何將物聯網相關網絡風險降到最低提出了建議。
          發表于 02-26 16:04 ? 215次 閱讀
          物聯網安全策略你懂得幾個

          紫光展銳正式推出第二代5G平臺馬卡魯2.0 首發臺積電6nm工藝

          2月26日,紫光展銳舉行了“5G所向 價值所在”的線上發布會,正式推出了第二代5G平臺——馬卡魯2.....
          的頭像 工程師鄧生 發表于 02-26 16:04 ? 254次 閱讀
          紫光展銳正式推出第二代5G平臺馬卡魯2.0 首發臺積電6nm工藝

          物聯網生態系統在5G時代后有無新的考驗

          物聯網正在成為人們工作和日常生活中不可或缺的一部分,并應用在從管理倉庫產品到監控患者心率和睡眠方式等....
          發表于 02-26 16:01 ? 48次 閱讀
          物聯網生態系統在5G時代后有無新的考驗

          紫光展銳聯合中國聯通推出聯通5G CPE VN007 售價999元

          2月26日下午,紫光展銳舉辦線上新品發布會,聯合中國聯通推出了一款全新的聯通5G CPE VN007....
          的頭像 工程師鄧生 發表于 02-26 15:59 ? 399次 閱讀
          紫光展銳聯合中國聯通推出聯通5G CPE VN007 售價999元

          復雜網絡如何去簡化

          隨著云計算時代到來,越來越多的企業需要滿足數字化轉型的需求,網絡也將需隨之發生變化。
          發表于 02-26 15:57 ? 61次 閱讀
          復雜網絡如何去簡化

          半導體名詞解釋(三)

          184) Short Channel Effect  短通道效應當MOS組件愈小,信道的長度將隨之縮短,電晶體的操作速度將加快,但是,...
          發表于 02-17 12:20 ? 289次 閱讀
          半導體名詞解釋(三)

          半導體名詞解釋(一)

          1) Acetone 丙酮丙酮是有機溶劑的一種,分子式為CH3COCH3性質:無色,具剌激性薄荷臭味的液體用途:在FAB內的用途,主...
          發表于 02-17 12:05 ? 241次 閱讀
          半導體名詞解釋(一)

          學習IGBT驅動電路沒有這么難,這份詳細解析交給你!

           本資料介紹了IGBT門極驅動保護電路的分類,驅動電路設計方案比較(主電路設計和控制電路設計),幫助學者快速了解掌握IG...
          發表于 01-15 07:00 ? 1092次 閱讀
          學習IGBT驅動電路沒有這么難,這份詳細解析交給你!

          急需IGBT模塊

          現急需FF1200R17IP5英飛凌原廠的IGBT模塊,有誰有渠道的幫幫忙!...
          發表于 01-12 10:47 ? 366次 閱讀
          急需IGBT模塊

          IGBT損壞機理分析及保護電路設計原理分析

          固態電源的基本任務是安全、可靠地為負載提供所需的電能。對電子設備而言,電源是其核心部件。負載除要求電源能供應高質量的輸出...
          發表于 12-27 08:30 ? 846次 閱讀
          IGBT損壞機理分析及保護電路設計原理分析

          IGBT在固態電源中是如何保護電路的?且看IGBT損壞機理分析

          固態電源的基本任務是安全、可靠地為負載提供所需的電能。對電子設備而言,電源是其核心部件。負載除要求電源能供應高質量的輸出...
          發表于 12-25 17:41 ? 1801次 閱讀
          IGBT在固態電源中是如何保護電路的?且看IGBT損壞機理分析

          手把手教你測IGBT內部電容

          目前,IGBT技術正全面快速的更新換代,IGBT器件也在各個領域廣泛應用,為了進一步了解IGBT特性,從而滿足器件性能、...
          發表于 12-02 09:24 ? 822次 閱讀
          手把手教你測IGBT內部電容

          IGBT觸發問題

          我自制一臺高頻電加熱設備,在設備調試中發現有兩次出現IGBT管柵極擊穿,不知是什么原因,請各位大師給分析一下原因,感謝...
          發表于 11-29 08:58 ? 863次 閱讀
          IGBT觸發問題

          如何區分高度本征和高度補償半導體?

          如何區分高度本征和高度補償半導體?
          發表于 11-26 15:00 ? 579次 閱讀
          如何區分高度本征和高度補償半導體?

          NXH160T120L2Q2F2SG 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和600 V 100 A

          T120L2Q2F2SG是一款功率集成模塊(PIM),包含一個分離式T型中性點鉗位三電平逆變器,由兩個160A / 1200V半橋IGBT和二極管組成,兩個中性點120A / 1200V整流器,兩個100A / 600V中性點IGBT,帶反向二極管,兩個半橋60A / 600V整流器和一個負溫度系數熱敏電阻(NTC)。 特性 優勢 600 V IGBT規格:VCE(SAT)= 1.47 V,ESW = 2560 uJ 快速切換具有低VCE(SAT)的IGBT以實現更高效率 1200 V IGBT規格:VCE(SAT)= 2.15 V,ESW = 4300 uJ 快速切換具有低VCE(SAT)的IGBT以實現更高的效率 底板 熱傳播 可焊銷 輕松安裝 熱敏電阻 溫度檢測 T型中性點鉗位三電平逆變器模塊 應用 終端產品 DC-AC階段 太陽能逆變器 UPS 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 08:02 ? 26次 閱讀
          NXH160T120L2Q2F2SG 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和600 V 100 A

          NXH80B120H2Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二極管

          120H2Q0SG是一款功率集成模塊(PIM),包含一個雙升壓級,由兩個40A / 1200V IGBT,兩個15A / 1200V SiC二極管和兩個用于IGBT的25A / 1600V反并聯二極管組成。另外還包括兩個用于浪涌電流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一個板載熱敏電阻。 特性 優勢 IGBT規格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2180 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以實現高效率 25 A / 1600 V旁路和反并聯二極管 低VF旁路二極管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器規格:VF = 1.4 V 用于高速切換的SiC二極管 可焊接引腳 輕松安裝 雙升壓40 A / 1200 V IGBT + SiC整流器混合模塊 熱敏電阻 應用 終端產品 太陽能逆變器升壓階段 太陽能逆變器 UPS 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 08:02 ? 16次 閱讀
          NXH80B120H2Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二極管

          NXH450N65L4Q2 功率集成模塊(PIM) I型NPC 650 V 450 A IGBT 650 V 375 A二極管

          N65L4Q2是功率集成模塊,包含I型中性點鉗位(NPC)三電平逆變器,由兩個225 A / 650 V外部IGBT,兩個375 A / 650 V內部IGBT和兩個375 A / 650 V中性線組成點二極管。反向二極管是150 A / 650 V器件。該模塊包含一個NTC熱敏電阻。 特性 優勢 現場停止4個650 V IGBT,具有快速開關性能和出色的VCE(SAT) 提高系統效率和簡化熱設計 焊針版本 應用 終端產品 DC-AC轉換 分散式太陽能逆變器 - 1200V 不間斷電源 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 08:02 ? 20次 閱讀
          NXH450N65L4Q2 功率集成模塊(PIM) I型NPC 650 V 450 A IGBT 650 V 375 A二極管

          NXH80T120L2Q0 功率集成模塊(PIM) T型NPC 1200 V 80 A IGBT 600 V 50 A IGBT

          120L2Q0是功率集成模塊,包含一個T型中性點鉗位(NPC)三電平逆變器,由兩個80 A / 1200 V半橋IGBT組成,帶有40 A / 1200 V半橋二極管和兩個50 A / 600 V NPC IGBT,帶有兩個50 A / 600 V NPC二極管。模塊還包含一個板載熱敏電阻。 特性 優勢 低VCESAT的高速1200V和650V IGBT 提高效率 預先應用熱界面材料(TIM)的選項預先應用的TIM 更簡單的安裝過程 使用壓入銷和焊針的選項 模塊安裝過程的更廣泛選擇 應用 終端產品 太陽能逆變器 UPS逆變器 太陽能串逆變器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 07:02 ? 24次 閱讀
          NXH80T120L2Q0 功率集成模塊(PIM) T型NPC 1200 V 80 A IGBT 600 V 50 A IGBT

          NXH100B120H3Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二極管

          B120H3Q0是一款功率集成模塊(PIM),包含一個雙升壓級,由兩個50A / 1200V IGBT,兩個20A / 1200V SiC二極管和兩個用于IGBT的25A / 1600V反并聯二極管組成。另外還包括兩個用于浪涌電流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一個板載熱敏電阻。 特性 優勢 IGBT規格:VCE(SAT)= 1.77 V,ESW = 2200 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以實現高效率 25 A / 1600 V旁路和反并聯二極管 低VF旁路二極管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器規格:VF = 1.44 V 用于高速開關的SiC二極管 焊針和壓合銷選項 靈活安裝 應用 終端產品 MPPT提升階段 Bat tery Charger Boost Stage 太陽能逆變器 儲能系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 07:02 ? 14次 閱讀
          NXH100B120H3Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二極管

          NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

          T120L2Q2F2SG是一款功率集成模塊(PIM),包含一個分離式T型中性點鉗位三電平逆變器,由兩個帶反向二極管的160A / 1200V半橋IGBT,兩個中性點120A / 1200V整流器組成,兩個具有反向二極管的100A / 650V中性點IGBT,兩個半橋60A / 650V整流器和一個負溫度系數熱敏電阻(NTC)。 特性 優勢 650 V IGBT規格:VCE(SAT)= 1.47 V,ESW = 2560 uJ 快速切換具有低VCE(SAT)的IGBT以實現更高效率 1200 V IGBT規格:VCE(SAT)= 2.15 V,ESW = 4300 uJ 快速切換具有低VCE(SAT)的IGBT以實現更高的效率 底板 熱傳播 可焊銷 輕松安裝 熱敏電阻 溫度檢測 T型中性點鉗位三電平逆變器模塊 應用 終端產品 DC-AC階段 太陽能逆變器 UPS 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 07:02 ? 16次 閱讀
          NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

          FSBB15CH120DF 運動SPM

          CH120DF是一款先進的Motion SPM ? 3模塊,為交流感應,BLDC和PMSM電機提供功能齊全的高性能逆變器輸出級。這些模塊綜合優化了內置IGBT的柵極驅動,最大限度降低電磁輻射和損耗,同時提供多種自帶保護功能,包括欠壓閉鎖,過流關斷,驅動芯片熱監控和故障報告。內置高速HVIC僅需要單電源電壓并將收到的邏輯電平柵極輸入信號轉換為高電壓,高電流驅動信號,從而有效驅動模塊的內部IGBT。獨立負IGBT引腳適用于各相位,以支持最廣泛的算法控制。 特性 UL認證號E209204(UL1557) 1200 V - 10 A三相IGBT逆變器,帶積分柵驅動器和保護功能 低功耗,額定短路IGBT 使人 2 0 3 陶瓷基質實現極低熱阻 專用Vs引腳能夠簡化PCB布局 低側IGBT的獨立發射極開路引腳用于三相電流檢測 單相接地電源 LVIC內嵌溫度感功能,用于監控溫度 絕緣等級:2500 V rms /分 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 07:02 ? 42次 閱讀
          FSBB15CH120DF 運動SPM

          FSBB15CH120D 運動SPM

          CH120D是一款先進的MotionSPM?3模塊,用于交流感應,BLDC和PMSM電機提供功能齊全的高性能逆變器輸出級。 這些模塊綜合優化了內置IGBT的柵極驅動,最大限度降低電磁輻射和損耗,同時提供多種自帶保護功能,包括欠壓閉鎖,過流關斷,驅動芯片熱監控和故障報告。內置高速HVIC僅需要單電源電壓并將收到的邏輯電平柵極輸入信號轉換為高電壓,高電流驅動信號,從而有效驅動模塊的內部IGBT。獨立負IGBT引腳適用于各相位,以支持最廣泛的算法控制。 特性 UL認證號E209204(UL1557) 1200 V - 10 A三相IGBT逆變器,帶積分柵驅動器和保護功能 低功耗,額定短路IGBT 使人 2 0 3 陶瓷基質實現極低熱阻 專用Vs引腳能夠簡化PCB布局 低側IGBT的獨立發射極開路引腳用于三相電流檢測 單相接地電源 LVIC內嵌溫度感功能,用于監控溫度 絕緣等級:2500 V rms /分 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 07:02 ? 30次 閱讀
          FSBB15CH120D 運動SPM

          NXH80B120L2Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 30 A Si二極管

          120L2Q0SG是一款功率模塊,包含一個雙升壓級,由兩個40A / 1200V IGBT,兩個30A / 1200V硅二極管和兩個用于IGBT的25A / 1600V反并聯二極管組成。另外還包括兩個用于浪涌電流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一個板載熱敏電阻。 特性 優勢 IGBT規格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2830 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以實現高效率 25 A / 1600 V旁路和反并聯二極管 低VF旁路二極管,在旁路模式下具有出色的效率 Si整流器規格:VF = 2.4 V,IRRM = 53 A 用于中速切換的Si二極管 可焊接針 輕松安裝 雙升壓40 A / 1200 V IGBT + Si整流器模塊 熱敏電阻 應用 終端產品 太陽能逆變器升壓階段 太陽能逆變器 UPS 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 05:02 ? 36次 閱讀
          NXH80B120L2Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 30 A Si二極管

          FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升壓模塊

          一種快速,可靠的的安裝方式。 特性 高效率 低傳導損耗和開關損耗 高速場截止IGBT SiC SBD用作升壓二極管 內置NTC可實現溫度監控 電路圖、引腳圖和封裝圖
          發表于 07-31 04:02 ? 36次 閱讀
          FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升壓模塊

          NFL25065L4BT 用于2相交錯式PFC的PFCSPM?2系列

          65L4BT是一款PFCSPM?2模塊,為消費,醫療和工業應用提供全功能,高性能的交錯式PFC(功率因數校正)輸入功率級。這些模塊集成了內置IGBT的優化柵極驅動,可最大限度地降低EMI和損耗,同時還提供多種模塊內保護功能,包括欠壓鎖定,過流關斷,熱監控和故障報告。這些模塊還具有全波整流器和高性能輸出SiC二極管,可節省更多空間和安裝便利性。 特性 650 V - 50 A 2階段具有整體柵極驅動器和保護的交錯式PFC 使用Al2O3 DBC襯底的極低熱阻 全波橋式整流器和高性能輸出SiC升壓二極管 用于溫度監控的內置NTC熱敏電阻 隔離評級:2500 Vrms / min 應用 終端產品 2相交錯式PFC轉換器 商用空調 工業電機 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 04:02 ? 44次 閱讀
          NFL25065L4BT 用于2相交錯式PFC的PFCSPM?2系列

          NFCS1060L3TT 智能功率模塊(IPM) PFC組合 600V 10A

          60L3TT是一個完全集成的PFC和逆變器功率級,包括一個高壓驅動器,六個電機驅動IGBT,一個PFC SJMOSFET,一個用于整流器的PFC SiC-SBD和一個熱敏電阻,適用于驅動永磁同步( PMSM)電機,無刷直流(BLDC)電機和交流異步電機。 IGBT采用三相橋式配置,為小腿提供獨立的發射極連接,以便在選擇控制算法時獲得最大的靈活性。 特性 優勢 在一個封裝中采用PFC和逆變器級的簡單散熱設計。 保存PCB面積并簡化裝配流程 交叉傳導保護 避免手臂短路輸入信號不足 集成自舉二極管和電阻器 保存PCB面積 應用 終端產品 電機驅動模塊 電機控制系統 工業/通用控制系統HVAC 工業風扇電機 泵 洗衣機 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 04:02 ? 16次 閱讀
          NFCS1060L3TT 智能功率模塊(IPM) PFC組合 600V 10A

          NFAP1060L3TT 智能功率模塊(IPM) 600 V 10 A 帶有先進的SIP封裝

          60L3TT是一個完全集成的逆變器功率級,由高壓驅動器,六個IGBT和一個熱敏電阻組成,適用于驅動永磁同步(PMSM)電機,無刷直流(BLDC)電機和交流異步電機。 IGBT采用三相橋式配置,為低支路提供獨立的發射極連接,在控制算法選擇方面具有最大的靈活性。功率級具有全面的保護功能,包括跨導保護,外部關斷和欠壓鎖定功能。連接到過流保護電路的內部比較器和參考電壓允許設計人員設置過流保護電平。 特性 緊湊型44mm x 20.9mm單列直插式封裝 內置欠壓保護 交叉傳導保護 集成自舉二極管和電阻器 應用 終端產品 工業驅動器 泵 粉絲 Automationas 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 03:02 ? 13次 閱讀
          NFAP1060L3TT 智能功率模塊(IPM) 600 V 10 A 帶有先進的SIP封裝

          NCP5304 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側 雙輸入

          4是一款高壓功率柵極驅動器,提供兩路輸出,用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或以半橋配置排列的IGBT。它使用自舉技術確保正確驅動高端電源開關。驅動器使用2個具有交叉傳導保護的獨立輸入。 特性 高壓范圍:高達600V dV / dt抗擾度±50 V / ns 柵極驅動電源范圍為10 V至20 V 高低驅動輸出 輸出源/灌電流電流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V輸入邏輯 最多輸入引腳上的Vcc擺動 兩個通道之間的匹配傳播延遲 帶輸入的階段輸出 具有100ns內部固定死區時間的交叉傳導保護 在兩個通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin to Pin與行業標準兼容 應用 半橋電源轉換器 全橋轉換器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 01:02 ? 68次 閱讀
          NCP5304 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側 雙輸入

          NCP5111 功率MOSFET / IGBT驅動器 單輸入 半橋

          1是一款高壓功率柵極驅動器,提供兩個輸出,用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或以半橋配置排列的IGBT。它使用自舉技術確保正確驅動高側電源開關。 特性 高壓范圍:高達600V dV / dt抗擾度±50 V / ns 柵極驅動電源范圍從10 V到20 V 高低驅動輸出 輸出源/灌電流電流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V輸入邏輯 輸入引腳上的Vcc擺幅 兩個頻道之間的匹配傳播延遲 內部固定Dea的一個輸入d時間(650 ns) 在兩個頻道的Vcc LockOut(UVLO)下 引腳與引腳兼容行業標準 應用 半橋電源轉換器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 01:02 ? 46次 閱讀
          NCP5111 功率MOSFET / IGBT驅動器 單輸入 半橋

          MC33153 單IGBT驅動器

          3專門設計用作高功率應用的IGBT驅動器,包括交流感應電機控制,無刷直流電機控制和不間斷電源。雖然設計用于驅動分立和模塊IGBT,但該器件為驅動功率MOSFET和雙極晶體管提供了經濟高效的解決方案。器件保護功能包括選擇去飽和或過流檢測和欠壓檢測。這些器件采用雙列直插和表面貼裝封裝,包括以下特性: 特性 高電流輸出級:1.0 A源/ 2.0 A接收器 常規和感測IGBT的保護電路 可編程故障消隱時間 防止過電流和短路 針對IGBT優化的欠壓鎖定 負柵極驅動能力 成本有效地驅動功率MOSFET和雙極晶體管 無鉛封裝可用 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 01:02 ? 129次 閱讀
          MC33153 單IGBT驅動器

          NCP5106 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側

          6是一款高壓柵極驅動器IC,提供兩路輸出,用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或IGBT,采用半橋配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A. 它使用自舉技術確保正確驅動高端電源開關。驅動程序使用2個獨立輸入。 NCP5109 = 200V NCP5106 = 600V 特性 高壓范圍:最高600 V dV / dt抗擾度±50 V / nsec 柵極驅動電源范圍為10 V至20 V 高低驅動輸出 輸出源/灌電流電流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V輸入邏輯 輸入引腳上的Vcc擺動 匹配傳播兩個渠道之間的延遲 輸入階段的輸出 適應所有拓撲的獨立邏輯輸入(版本A) 交叉傳導保護機智h 100 ns內部固定死區時間(版本B) 在兩個通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin-to-Pin與行業標準兼容 應用 半橋電源轉換器 任何互補驅動轉換器(非對稱半橋,有源鉗位)(僅限A型)。 全橋轉換器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 00:02 ? 86次 閱讀
          NCP5106 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側

          FL73282 半橋柵極驅動器

          2是一款單片半橋柵極驅動器IC,可驅動工作電壓高達+ 900V的MOSFET和IGBT.Fairchild的高壓工藝和共模噪聲消除技術可使高側驅動器在高dV / dt噪聲環境下穩定運行。先進的電平轉換電路,可使高側柵極驅動器的工作電壓在V BS = 15 V時達到V S = - 9.8 V(典型值)。當V CC 或V BS 低于指定閾值電壓時,兩個通道UVLO電路可防止發生故障。輸出驅動器的源電流/灌電流典型值分別為350 mA / 650 mA,適用于各種半橋和全橋逆變器。 特性 浮動通道可實現高達+900 V的自舉運行 兩個通道的源/灌電流驅動能力典型值為350 mA / 650 mA 共模dv / dt噪聲消除電路 容許擴展負V S 擺幅至-9.8 V,以實現V CC = V BS = 15 V時的信號傳輸 10 V至20 V的V CC 和V BS 供電范圍 雙通道的欠壓鎖定功能 匹配傳播延遲低于50 ns 內置170 ns死區時間 輸出與輸入信號同相 應用 照明 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 00:02 ? 126次 閱讀
          FL73282 半橋柵極驅動器

          NCV5703 IGBT柵極驅動器 大電流 獨立式

          3系列是一組高電流,高性能獨立式IGBT驅動器,具有非反相輸入邏輯,適用于中高功率應用,包括PTC加熱器,EV充電器和其他汽車等汽車應用電源。通過消除許多外部組件,這些器件提供了經濟高效的解決方案。器件保護功能包括Active Miller Clamp(用于NCV5703A),精確的UVLO,DESAT保護和漏極開路故障輸出。這些驅動器還具有精確的5.0 V輸出(適用于所有版本)和獨立的高低(VOH和VOL)驅動器輸出(僅適用于NCV5703C),便于系統設計。這些驅動器設計用于容納寬電壓范圍的單極性偏置電源(以及NCV5703B的雙極性偏置電源)。所有版本均采用8引腳SOIC封裝,符合AEC-Q100標準。 特性 優勢 IGBT米勒平臺電壓下的高電流輸出(+ 4.0 / -6.0 A) 降低開關損耗并縮短切換時間 低VOH和VOL 完全增強IGBT 可編程延遲的DESAT保護 增強的可編程保護 活動密勒鉗(僅限NCV5703A) 防止假門開啟 應用 終端產品 DC-交流變頻器 電池充電器 汽車PTC加熱器 驅動程序 電機控制 電動汽車 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-30 22:02 ? 58次 閱讀
          NCV5703 IGBT柵極驅動器 大電流 獨立式

          NCV5702 IGBT柵極驅動器 大電流 獨立式

          2是一款高電流,高性能獨立式IGBT驅動器,具有非反相輸入邏輯,適用于高功率應用,包括PTC加熱器,EV充電器,動力總成逆變器和其他汽車電源等汽車應用。該器件通過消除許多外部元件提供了經濟高效的解決方案。器件保護功能包括有源米勒鉗位,精確的UVLO,EN輸入,DESAT保護和漏極開路故障輸出。該驅動器還具有精確的5.0 V輸出和獨立的高低(VOH和VOL)驅動器輸出,便于系統設計。該驅動器設計用于適應寬電壓范圍的偏置電源,包括單極性和雙極性電壓。它采用16引腳SOIC封裝。符合AEC-Q100標準。 特性 優勢 降低開關損耗和縮短開關時間 低VOH和VOL 完全增強IGBT 活動密勒鉗 防止偽門開啟 可編程延遲的DESAT保護 增強的可編程保護 應用 終端產品 DC-AC逆變器 電池充電器 汽車PTC加熱器 板載充電器 xEV充電器 汽車動力總成逆變器 牽引逆變器 電動汽車 EV充電器 牽引 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-30 22:02 ? 62次 閱讀
          NCV5702 IGBT柵極驅動器 大電流 獨立式
          2019中文字幕视频
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