2019中文字幕视频

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        1. 侵權投訴

          深圳比亞迪微電子近期更名并設立新公司,要發威了?

          荷葉塘 ? 來源:電子發燒友 ? 作者:程文智 ? 2020-01-22 15:17 ? 次閱讀
          最近幾天深圳比亞迪微電子有限公司動作頻頻,根據《國家企業信用信息公示系統》和天眼查上的信息,該公司在2020年1月13日做了多項工商變更,包括負責人變更(法定代表人、負責人、首席代表、合伙事務執行人等變更)、高級管理人員備案(董事、監事和經理等)、章程備案,以及投資人變更,雖然沒有列出詳細的變更項目,但可以清楚地看到,王傳福已經卸任該公司董事長,由陳剛接任。企業類型也從有限責任公司(臺港澳與境內合資)變更為有限責任公司(法人獨資)。
          圖1:天眼查上顯示的比亞迪微電子變動信息。
          圖1:天眼查上顯示的比亞迪微電子變動信息。
          隨后在1月19日,深圳比亞迪微電子有限公司新增了對外投資,成立了長沙比亞迪半導體有限公司,前者持股100%。長沙比亞迪半導體有限公司注冊資本2000萬元,法定代表人為陳剛,經營范圍包括半導體分立器件、集成電路、照明燈具、LED顯示屏、安防監控、智慧路燈設計及銷售、智慧城市相關服務、LED顯示屏銷售及運營、安防監控的銷售和運營以及自營和代理各類商品及技術的進出口等。
          圖2:長沙比亞迪半導體有限公司工商信息。(數據來源:天眼查)
          圖2:長沙比亞迪半導體有限公司工商信息。(數據來源:天眼查)
          長沙比亞迪半導體有限公司的主要人員有4人,分別是董事長兼總經理陳剛、董事李巍和周亞琳、監事謝瓊。
          據介紹,深圳比亞迪微電子有限公司是比亞迪股份有限公司的全資子公司,成立于2004年,現在的法人代表也為陳剛,注冊資本為3億元人民幣,主營項目是集成電路設計與0.18微米及以下大規模集成電路、新型電子元器件及其相關附件的生產、銷售;生產經營絕緣雙極晶體管模塊;從事LED發光二極管封裝及攝像頭模組的生產加工等。
          該公司致力于集成電路及功率器件的開發,產品主要覆蓋功率半導體器件、IGBT功率模塊、電源管理IC、CMOS圖像傳感器、傳感及控制IC、音視頻處理IC等。產品應用領域覆蓋了對光、電、磁及聲等信號的感應、處理及控制,提供IC產品及完整的解決方案。相關產品可廣泛應用于汽車、能源、工業、通訊和消費類電子領域,比亞迪微電子充分利用半導體產業鏈上下游資源,根據客戶需求,提供包含市場調研、產品定義、芯片設計和驗證到芯片應用方案在內的一條龍服務。其多款IC及功率器件產品已獲得包括諾基亞、三星在內的多家國際知名公司的認證和批量使用。
          其中,公司共兩位股東,大股東為比亞迪(香港)持股82.50%,二股東為比亞迪股份有限公司持股17.50%。
          至此,深圳比亞迪微電子有限公司有了3家子公司,分別為寧波比亞迪半導體有限公司,認繳金額2億元人民幣、廣東比亞迪節能科技有限公司,認繳金額3000萬元人民幣,以及長沙比亞迪半導體有限公司2000萬元人民幣。其中寧波比亞迪經營范圍包括半導體分立器件及集成電路生產、設計、測試、技術開發;防偽商標技術及產品開發、生產;工藝品技術及產品開發、生產等。
          圖3:比亞迪微電子有限公司控制的3家子公司。(數據來源:天眼查)
          圖3:比亞迪微電子有限公司控制的3家子公司。(數據來源:天眼查)
          而在1月21日,深圳比亞迪微電子有限公司又發生了一項工商變更,將公司名稱更改為了“比亞迪半導體有限公司”。
          圖4:1月21日,深圳比亞迪微電子有限公司變更公司名稱。(數據來源: 國家企業信用信息公示系統)
          圖4:1月21日,深圳比亞迪微電子有限公司變更公司名稱。(數據來源: 國家企業信用信息公示系統)
          圖5:變更名稱后的比亞迪半導體有限公司工商信息。(數據來源: 國家企業信用信息公示系統)
          此前,2018年12月,比亞迪正式發布了IGBT 4.0技術,是國內車規級IGBT產業的重大突破。同時,比亞迪還宣布將布局性能更加優異的第三代半導體材料SiC(碳化硅)。
          比亞迪自2005年起就開始布局IGBT產業,并在2009年推出IGBT 1.0技術,2011年實現比亞迪e6的批量裝車。截至2018年底,IGBT 4.0研發成功,且產能已達5萬片,已實現對外供應。此次成立的長沙比亞迪半導體有限公司或是為進一步布局IGBT技術和碳化硅相關業務。
          至此,比亞迪股份有限公司旗下已經包含有電池與鋰電池、工業實業、汽車制造及銷售、新能源汽車、精密制造、電子、模具、通信等多家參股控股公司,覆蓋了汽車、工業、能源等多個產業鏈的重要環節。
          從換帥,到設立新公司,再到公司改名,比亞迪半導體或許向更多地參與到半導體領域當中去,實現更大的愿景。事實能否如愿,我們會持續關注的。
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          年收入跌了0.9%,Intel半導體行業市場份額還重回第一

          TOP10排名同時發生了很有趣的變化,三星在2017年、2018年霸占榜首之后,1993年起就連續2....
          的頭像 汽車玩家 發表于 01-17 09:17 ? 932次 閱讀
          年收入跌了0.9%,Intel半導體行業市場份額還重回第一

          芯片領域國產替代火爆 華為小米投資半導體企業背后的邏輯

          中國5G的加速誕生在貿易摩擦、去全球化浪潮的大背景下,中國品牌華為、小米等要在國際市場上真正獲得長期....
          的頭像 章鷹 發表于 01-17 08:42 ? 10153次 閱讀
          芯片領域國產替代火爆 華為小米投資半導體企業背后的邏輯

          半導體光刻機的詳細解說

          半導體器件被廣泛應用于從智能手機到汽車等各個領域,在其制造過程中半導體光刻機必不可少。你知道嗎,日本....
          的頭像 半導體動態 發表于 01-16 08:36 ? 2335次 閱讀
          半導體光刻機的詳細解說

          溢泰半導體國內首個化合物半導體新材料產業園區預計1月底建成

          據中國化工報報道,由大慶溢泰半導體材料有限公司(以下簡稱“溢泰半導體”)投資建設的國內首個化合物半導....
          的頭像 半導體動態 發表于 01-15 15:34 ? 908次 閱讀
          溢泰半導體國內首個化合物半導體新材料產業園區預計1月底建成

          Intel重回全球半導體市場第一位置

          2018年全球半導體市場在內存、閃存大漲兩年之后達到了巔峰,2019年隨即轉向熊市,內存、閃存各種跌....
          的頭像 工程師鄧生 發表于 01-15 15:19 ? 1048次 閱讀
          Intel重回全球半導體市場第一位置

          2019年存儲芯片市場顯著惡化 拖累了全球半導體市場下滑11.9%

          2018年全球半導體市場在內存、閃存大漲兩年之后達到了巔峰,2019年隨即轉向熊市,內存、閃存各種跌....
          的頭像 lyj159 發表于 01-15 15:09 ? 1187次 閱讀
          2019年存儲芯片市場顯著惡化 拖累了全球半導體市場下滑11.9%

          2019年半導體銷售額同比下降11.9%,英特爾重返排行榜首位

          1月15日消息,據國外媒體報道,美國市場研究機構Gartner(高德納)周二發布了2019年全球半導....
          的頭像 牽手一起夢 發表于 01-15 14:30 ? 927次 閱讀
          2019年半導體銷售額同比下降11.9%,英特爾重返排行榜首位

          學習IGBT驅動電路沒有這么難,這份詳細解析交給你!

           本資料介紹了IGBT門極驅動保護電路的分類,驅動電路設計方案比較(主電路設計和控制電路設計),幫助學者快速了解掌握IG...
          發表于 01-15 07:00 ? 1061次 閱讀
          學習IGBT驅動電路沒有這么難,這份詳細解析交給你!

          急需IGBT模塊

          現急需FF1200R17IP5英飛凌原廠的IGBT模塊,有誰有渠道的幫幫忙!...
          發表于 01-12 10:47 ? 363次 閱讀
          急需IGBT模塊

          IGBT損壞機理分析及保護電路設計原理分析

          固態電源的基本任務是安全、可靠地為負載提供所需的電能。對電子設備而言,電源是其核心部件。負載除要求電源能供應高質量的輸出...
          發表于 12-27 08:30 ? 831次 閱讀
          IGBT損壞機理分析及保護電路設計原理分析

          IGBT在固態電源中是如何保護電路的?且看IGBT損壞機理分析

          固態電源的基本任務是安全、可靠地為負載提供所需的電能。對電子設備而言,電源是其核心部件。負載除要求電源能供應高質量的輸出...
          發表于 12-25 17:41 ? 1789次 閱讀
          IGBT在固態電源中是如何保護電路的?且看IGBT損壞機理分析

          手把手教你測IGBT內部電容

          目前,IGBT技術正全面快速的更新換代,IGBT器件也在各個領域廣泛應用,為了進一步了解IGBT特性,從而滿足器件性能、...
          發表于 12-02 09:24 ? 814次 閱讀
          手把手教你測IGBT內部電容

          IGBT觸發問題

          我自制一臺高頻電加熱設備,在設備調試中發現有兩次出現IGBT管柵極擊穿,不知是什么原因,請各位大師給分析一下原因,感謝...
          發表于 11-29 08:58 ? 858次 閱讀
          IGBT觸發問題

          如何區分高度本征和高度補償半導體?

          如何區分高度本征和高度補償半導體?
          發表于 11-26 15:00 ? 569次 閱讀
          如何區分高度本征和高度補償半導體?

          【專欄1】微觀電流:漂移電流

          IGBT自20世紀八十年代進入市場以來,經過近半個世紀的推廣,已成為功率半導體中應用領域最為廣泛的一種器件。 IGBT全...
          發表于 11-21 09:13 ? 218次 閱讀
          【專欄1】微觀電流:漂移電流

          NXH160T120L2Q2F2SG 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和600 V 100 A

          T120L2Q2F2SG是一款功率集成模塊(PIM),包含一個分離式T型中性點鉗位三電平逆變器,由兩個160A / 1200V半橋IGBT和二極管組成,兩個中性點120A / 1200V整流器,兩個100A / 600V中性點IGBT,帶反向二極管,兩個半橋60A / 600V整流器和一個負溫度系數熱敏電阻(NTC)。 特性 優勢 600 V IGBT規格:VCE(SAT)= 1.47 V,ESW = 2560 uJ 快速切換具有低VCE(SAT)的IGBT以實現更高效率 1200 V IGBT規格:VCE(SAT)= 2.15 V,ESW = 4300 uJ 快速切換具有低VCE(SAT)的IGBT以實現更高的效率 底板 熱傳播 可焊銷 輕松安裝 熱敏電阻 溫度檢測 T型中性點鉗位三電平逆變器模塊 應用 終端產品 DC-AC階段 太陽能逆變器 UPS 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 08:02 ? 26次 閱讀
          NXH160T120L2Q2F2SG 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和600 V 100 A

          NXH80B120H2Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二極管

          120H2Q0SG是一款功率集成模塊(PIM),包含一個雙升壓級,由兩個40A / 1200V IGBT,兩個15A / 1200V SiC二極管和兩個用于IGBT的25A / 1600V反并聯二極管組成。另外還包括兩個用于浪涌電流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一個板載熱敏電阻。 特性 優勢 IGBT規格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2180 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以實現高效率 25 A / 1600 V旁路和反并聯二極管 低VF旁路二極管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器規格:VF = 1.4 V 用于高速切換的SiC二極管 可焊接引腳 輕松安裝 雙升壓40 A / 1200 V IGBT + SiC整流器混合模塊 熱敏電阻 應用 終端產品 太陽能逆變器升壓階段 太陽能逆變器 UPS 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 08:02 ? 16次 閱讀
          NXH80B120H2Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二極管

          NXH450N65L4Q2 功率集成模塊(PIM) I型NPC 650 V 450 A IGBT 650 V 375 A二極管

          N65L4Q2是功率集成模塊,包含I型中性點鉗位(NPC)三電平逆變器,由兩個225 A / 650 V外部IGBT,兩個375 A / 650 V內部IGBT和兩個375 A / 650 V中性線組成點二極管。反向二極管是150 A / 650 V器件。該模塊包含一個NTC熱敏電阻。 特性 優勢 現場停止4個650 V IGBT,具有快速開關性能和出色的VCE(SAT) 提高系統效率和簡化熱設計 焊針版本 應用 終端產品 DC-AC轉換 分散式太陽能逆變器 - 1200V 不間斷電源 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 08:02 ? 20次 閱讀
          NXH450N65L4Q2 功率集成模塊(PIM) I型NPC 650 V 450 A IGBT 650 V 375 A二極管

          NXH80T120L2Q0 功率集成模塊(PIM) T型NPC 1200 V 80 A IGBT 600 V 50 A IGBT

          120L2Q0是功率集成模塊,包含一個T型中性點鉗位(NPC)三電平逆變器,由兩個80 A / 1200 V半橋IGBT組成,帶有40 A / 1200 V半橋二極管和兩個50 A / 600 V NPC IGBT,帶有兩個50 A / 600 V NPC二極管。模塊還包含一個板載熱敏電阻。 特性 優勢 低VCESAT的高速1200V和650V IGBT 提高效率 預先應用熱界面材料(TIM)的選項預先應用的TIM 更簡單的安裝過程 使用壓入銷和焊針的選項 模塊安裝過程的更廣泛選擇 應用 終端產品 太陽能逆變器 UPS逆變器 太陽能串逆變器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 07:02 ? 24次 閱讀
          NXH80T120L2Q0 功率集成模塊(PIM) T型NPC 1200 V 80 A IGBT 600 V 50 A IGBT

          NXH100B120H3Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二極管

          B120H3Q0是一款功率集成模塊(PIM),包含一個雙升壓級,由兩個50A / 1200V IGBT,兩個20A / 1200V SiC二極管和兩個用于IGBT的25A / 1600V反并聯二極管組成。另外還包括兩個用于浪涌電流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一個板載熱敏電阻。 特性 優勢 IGBT規格:VCE(SAT)= 1.77 V,ESW = 2200 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以實現高效率 25 A / 1600 V旁路和反并聯二極管 低VF旁路二極管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器規格:VF = 1.44 V 用于高速開關的SiC二極管 焊針和壓合銷選項 靈活安裝 應用 終端產品 MPPT提升階段 Bat tery Charger Boost Stage 太陽能逆變器 儲能系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 07:02 ? 14次 閱讀
          NXH100B120H3Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二極管

          NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

          T120L2Q2F2SG是一款功率集成模塊(PIM),包含一個分離式T型中性點鉗位三電平逆變器,由兩個帶反向二極管的160A / 1200V半橋IGBT,兩個中性點120A / 1200V整流器組成,兩個具有反向二極管的100A / 650V中性點IGBT,兩個半橋60A / 650V整流器和一個負溫度系數熱敏電阻(NTC)。 特性 優勢 650 V IGBT規格:VCE(SAT)= 1.47 V,ESW = 2560 uJ 快速切換具有低VCE(SAT)的IGBT以實現更高效率 1200 V IGBT規格:VCE(SAT)= 2.15 V,ESW = 4300 uJ 快速切換具有低VCE(SAT)的IGBT以實現更高的效率 底板 熱傳播 可焊銷 輕松安裝 熱敏電阻 溫度檢測 T型中性點鉗位三電平逆變器模塊 應用 終端產品 DC-AC階段 太陽能逆變器 UPS 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 07:02 ? 16次 閱讀
          NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

          FSBB15CH120DF 運動SPM

          CH120DF是一款先進的Motion SPM ? 3模塊,為交流感應,BLDC和PMSM電機提供功能齊全的高性能逆變器輸出級。這些模塊綜合優化了內置IGBT的柵極驅動,最大限度降低電磁輻射和損耗,同時提供多種自帶保護功能,包括欠壓閉鎖,過流關斷,驅動芯片熱監控和故障報告。內置高速HVIC僅需要單電源電壓并將收到的邏輯電平柵極輸入信號轉換為高電壓,高電流驅動信號,從而有效驅動模塊的內部IGBT。獨立負IGBT引腳適用于各相位,以支持最廣泛的算法控制。 特性 UL認證號E209204(UL1557) 1200 V - 10 A三相IGBT逆變器,帶積分柵驅動器和保護功能 低功耗,額定短路IGBT 使人 2 0 3 陶瓷基質實現極低熱阻 專用Vs引腳能夠簡化PCB布局 低側IGBT的獨立發射極開路引腳用于三相電流檢測 單相接地電源 LVIC內嵌溫度感功能,用于監控溫度 絕緣等級:2500 V rms /分 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 07:02 ? 42次 閱讀
          FSBB15CH120DF 運動SPM

          FSBB15CH120D 運動SPM

          CH120D是一款先進的MotionSPM?3模塊,用于交流感應,BLDC和PMSM電機提供功能齊全的高性能逆變器輸出級。 這些模塊綜合優化了內置IGBT的柵極驅動,最大限度降低電磁輻射和損耗,同時提供多種自帶保護功能,包括欠壓閉鎖,過流關斷,驅動芯片熱監控和故障報告。內置高速HVIC僅需要單電源電壓并將收到的邏輯電平柵極輸入信號轉換為高電壓,高電流驅動信號,從而有效驅動模塊的內部IGBT。獨立負IGBT引腳適用于各相位,以支持最廣泛的算法控制。 特性 UL認證號E209204(UL1557) 1200 V - 10 A三相IGBT逆變器,帶積分柵驅動器和保護功能 低功耗,額定短路IGBT 使人 2 0 3 陶瓷基質實現極低熱阻 專用Vs引腳能夠簡化PCB布局 低側IGBT的獨立發射極開路引腳用于三相電流檢測 單相接地電源 LVIC內嵌溫度感功能,用于監控溫度 絕緣等級:2500 V rms /分 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 07:02 ? 30次 閱讀
          FSBB15CH120D 運動SPM

          NXH80B120L2Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 30 A Si二極管

          120L2Q0SG是一款功率模塊,包含一個雙升壓級,由兩個40A / 1200V IGBT,兩個30A / 1200V硅二極管和兩個用于IGBT的25A / 1600V反并聯二極管組成。另外還包括兩個用于浪涌電流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一個板載熱敏電阻。 特性 優勢 IGBT規格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2830 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以實現高效率 25 A / 1600 V旁路和反并聯二極管 低VF旁路二極管,在旁路模式下具有出色的效率 Si整流器規格:VF = 2.4 V,IRRM = 53 A 用于中速切換的Si二極管 可焊接針 輕松安裝 雙升壓40 A / 1200 V IGBT + Si整流器模塊 熱敏電阻 應用 終端產品 太陽能逆變器升壓階段 太陽能逆變器 UPS 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 05:02 ? 36次 閱讀
          NXH80B120L2Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 30 A Si二極管

          FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升壓模塊

          一種快速,可靠的的安裝方式。 特性 高效率 低傳導損耗和開關損耗 高速場截止IGBT SiC SBD用作升壓二極管 內置NTC可實現溫度監控 電路圖、引腳圖和封裝圖
          發表于 07-31 04:02 ? 34次 閱讀
          FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升壓模塊

          NFL25065L4BT 用于2相交錯式PFC的PFCSPM?2系列

          65L4BT是一款PFCSPM?2模塊,為消費,醫療和工業應用提供全功能,高性能的交錯式PFC(功率因數校正)輸入功率級。這些模塊集成了內置IGBT的優化柵極驅動,可最大限度地降低EMI和損耗,同時還提供多種模塊內保護功能,包括欠壓鎖定,過流關斷,熱監控和故障報告。這些模塊還具有全波整流器和高性能輸出SiC二極管,可節省更多空間和安裝便利性。 特性 650 V - 50 A 2階段具有整體柵極驅動器和保護的交錯式PFC 使用Al2O3 DBC襯底的極低熱阻 全波橋式整流器和高性能輸出SiC升壓二極管 用于溫度監控的內置NTC熱敏電阻 隔離評級:2500 Vrms / min 應用 終端產品 2相交錯式PFC轉換器 商用空調 工業電機 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 04:02 ? 44次 閱讀
          NFL25065L4BT 用于2相交錯式PFC的PFCSPM?2系列

          NFCS1060L3TT 智能功率模塊(IPM) PFC組合 600V 10A

          60L3TT是一個完全集成的PFC和逆變器功率級,包括一個高壓驅動器,六個電機驅動IGBT,一個PFC SJMOSFET,一個用于整流器的PFC SiC-SBD和一個熱敏電阻,適用于驅動永磁同步( PMSM)電機,無刷直流(BLDC)電機和交流異步電機。 IGBT采用三相橋式配置,為小腿提供獨立的發射極連接,以便在選擇控制算法時獲得最大的靈活性。 特性 優勢 在一個封裝中采用PFC和逆變器級的簡單散熱設計。 保存PCB面積并簡化裝配流程 交叉傳導保護 避免手臂短路輸入信號不足 集成自舉二極管和電阻器 保存PCB面積 應用 終端產品 電機驅動模塊 電機控制系統 工業/通用控制系統HVAC 工業風扇電機 泵 洗衣機 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 04:02 ? 16次 閱讀
          NFCS1060L3TT 智能功率模塊(IPM) PFC組合 600V 10A

          NFAP1060L3TT 智能功率模塊(IPM) 600 V 10 A 帶有先進的SIP封裝

          60L3TT是一個完全集成的逆變器功率級,由高壓驅動器,六個IGBT和一個熱敏電阻組成,適用于驅動永磁同步(PMSM)電機,無刷直流(BLDC)電機和交流異步電機。 IGBT采用三相橋式配置,為低支路提供獨立的發射極連接,在控制算法選擇方面具有最大的靈活性。功率級具有全面的保護功能,包括跨導保護,外部關斷和欠壓鎖定功能。連接到過流保護電路的內部比較器和參考電壓允許設計人員設置過流保護電平。 特性 緊湊型44mm x 20.9mm單列直插式封裝 內置欠壓保護 交叉傳導保護 集成自舉二極管和電阻器 應用 終端產品 工業驅動器 泵 粉絲 Automationas 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 03:02 ? 10次 閱讀
          NFAP1060L3TT 智能功率模塊(IPM) 600 V 10 A 帶有先進的SIP封裝

          NCP5304 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側 雙輸入

          4是一款高壓功率柵極驅動器,提供兩路輸出,用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或以半橋配置排列的IGBT。它使用自舉技術確保正確驅動高端電源開關。驅動器使用2個具有交叉傳導保護的獨立輸入。 特性 高壓范圍:高達600V dV / dt抗擾度±50 V / ns 柵極驅動電源范圍為10 V至20 V 高低驅動輸出 輸出源/灌電流電流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V輸入邏輯 最多輸入引腳上的Vcc擺動 兩個通道之間的匹配傳播延遲 帶輸入的階段輸出 具有100ns內部固定死區時間的交叉傳導保護 在兩個通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin to Pin與行業標準兼容 應用 半橋電源轉換器 全橋轉換器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 01:02 ? 66次 閱讀
          NCP5304 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側 雙輸入

          NCP5111 功率MOSFET / IGBT驅動器 單輸入 半橋

          1是一款高壓功率柵極驅動器,提供兩個輸出,用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或以半橋配置排列的IGBT。它使用自舉技術確保正確驅動高側電源開關。 特性 高壓范圍:高達600V dV / dt抗擾度±50 V / ns 柵極驅動電源范圍從10 V到20 V 高低驅動輸出 輸出源/灌電流電流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V輸入邏輯 輸入引腳上的Vcc擺幅 兩個頻道之間的匹配傳播延遲 內部固定Dea的一個輸入d時間(650 ns) 在兩個頻道的Vcc LockOut(UVLO)下 引腳與引腳兼容行業標準 應用 半橋電源轉換器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 01:02 ? 44次 閱讀
          NCP5111 功率MOSFET / IGBT驅動器 單輸入 半橋

          MC33153 單IGBT驅動器

          3專門設計用作高功率應用的IGBT驅動器,包括交流感應電機控制,無刷直流電機控制和不間斷電源。雖然設計用于驅動分立和模塊IGBT,但該器件為驅動功率MOSFET和雙極晶體管提供了經濟高效的解決方案。器件保護功能包括選擇去飽和或過流檢測和欠壓檢測。這些器件采用雙列直插和表面貼裝封裝,包括以下特性: 特性 高電流輸出級:1.0 A源/ 2.0 A接收器 常規和感測IGBT的保護電路 可編程故障消隱時間 防止過電流和短路 針對IGBT優化的欠壓鎖定 負柵極驅動能力 成本有效地驅動功率MOSFET和雙極晶體管 無鉛封裝可用 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-31 01:02 ? 129次 閱讀
          MC33153 單IGBT驅動器

          NCP5106 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側

          6是一款高壓柵極驅動器IC,提供兩路輸出,用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或IGBT,采用半橋配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A. 它使用自舉技術確保正確驅動高端電源開關。驅動程序使用2個獨立輸入。 NCP5109 = 200V NCP5106 = 600V 特性 高壓范圍:最高600 V dV / dt抗擾度±50 V / nsec 柵極驅動電源范圍為10 V至20 V 高低驅動輸出 輸出源/灌電流電流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V輸入邏輯 輸入引腳上的Vcc擺動 匹配傳播兩個渠道之間的延遲 輸入階段的輸出 適應所有拓撲的獨立邏輯輸入(版本A) 交叉傳導保護機智h 100 ns內部固定死區時間(版本B) 在兩個通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin-to-Pin與行業標準兼容 應用 半橋電源轉換器 任何互補驅動轉換器(非對稱半橋,有源鉗位)(僅限A型)。 全橋轉換器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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          NCP5106 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側

          FL73282 半橋柵極驅動器

          2是一款單片半橋柵極驅動器IC,可驅動工作電壓高達+ 900V的MOSFET和IGBT.Fairchild的高壓工藝和共模噪聲消除技術可使高側驅動器在高dV / dt噪聲環境下穩定運行。先進的電平轉換電路,可使高側柵極驅動器的工作電壓在V BS = 15 V時達到V S = - 9.8 V(典型值)。當V CC 或V BS 低于指定閾值電壓時,兩個通道UVLO電路可防止發生故障。輸出驅動器的源電流/灌電流典型值分別為350 mA / 650 mA,適用于各種半橋和全橋逆變器。 特性 浮動通道可實現高達+900 V的自舉運行 兩個通道的源/灌電流驅動能力典型值為350 mA / 650 mA 共模dv / dt噪聲消除電路 容許擴展負V S 擺幅至-9.8 V,以實現V CC = V BS = 15 V時的信號傳輸 10 V至20 V的V CC 和V BS 供電范圍 雙通道的欠壓鎖定功能 匹配傳播延遲低于50 ns 內置170 ns死區時間 輸出與輸入信號同相 應用 照明 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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          FL73282 半橋柵極驅動器

          NCV5703 IGBT柵極驅動器 大電流 獨立式

          3系列是一組高電流,高性能獨立式IGBT驅動器,具有非反相輸入邏輯,適用于中高功率應用,包括PTC加熱器,EV充電器和其他汽車等汽車應用電源。通過消除許多外部組件,這些器件提供了經濟高效的解決方案。器件保護功能包括Active Miller Clamp(用于NCV5703A),精確的UVLO,DESAT保護和漏極開路故障輸出。這些驅動器還具有精確的5.0 V輸出(適用于所有版本)和獨立的高低(VOH和VOL)驅動器輸出(僅適用于NCV5703C),便于系統設計。這些驅動器設計用于容納寬電壓范圍的單極性偏置電源(以及NCV5703B的雙極性偏置電源)。所有版本均采用8引腳SOIC封裝,符合AEC-Q100標準。 特性 優勢 IGBT米勒平臺電壓下的高電流輸出(+ 4.0 / -6.0 A) 降低開關損耗并縮短切換時間 低VOH和VOL 完全增強IGBT 可編程延遲的DESAT保護 增強的可編程保護 活動密勒鉗(僅限NCV5703A) 防止假門開啟 應用 終端產品 DC-交流變頻器 電池充電器 汽車PTC加熱器 驅動程序 電機控制 電動汽車 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-30 22:02 ? 58次 閱讀
          NCV5703 IGBT柵極驅動器 大電流 獨立式

          NCV5702 IGBT柵極驅動器 大電流 獨立式

          2是一款高電流,高性能獨立式IGBT驅動器,具有非反相輸入邏輯,適用于高功率應用,包括PTC加熱器,EV充電器,動力總成逆變器和其他汽車電源等汽車應用。該器件通過消除許多外部元件提供了經濟高效的解決方案。器件保護功能包括有源米勒鉗位,精確的UVLO,EN輸入,DESAT保護和漏極開路故障輸出。該驅動器還具有精確的5.0 V輸出和獨立的高低(VOH和VOL)驅動器輸出,便于系統設計。該驅動器設計用于適應寬電壓范圍的偏置電源,包括單極性和雙極性電壓。它采用16引腳SOIC封裝。符合AEC-Q100標準。 特性 優勢 降低開關損耗和縮短開關時間 低VOH和VOL 完全增強IGBT 活動密勒鉗 防止偽門開啟 可編程延遲的DESAT保護 增強的可編程保護 應用 終端產品 DC-AC逆變器 電池充電器 汽車PTC加熱器 板載充電器 xEV充電器 汽車動力總成逆變器 牽引逆變器 電動汽車 EV充電器 牽引 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 07-30 22:02 ? 60次 閱讀
          NCV5702 IGBT柵極驅動器 大電流 獨立式
          2019中文字幕视频
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