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        1. 侵權投訴

          芯片領域國產替代火爆 華為小米投資半導體企業背后的邏輯

          章鷹 ? 來源:電子發燒友原創 ? 作者:章鷹 ? 2020-01-17 08:42 ? 次閱讀

          本站原創,作者:章鷹,電子發燒友執行副主編。

          1月15日,經過中美兩國經貿代表團的共同努力,中美雙方在美國華盛頓正式簽署第一階段經貿協議,中美兩國達成第一階段經貿協議,協議提出,中方將擴大自美農產品、能源產品、工業制成品、服務產品進口,未來兩年的進口規模,要在2017年基數上增加不少于2000億美元。中國將進行價值400億至500億美元的農業采購。特朗普表示,該協議包括對知識產權的有力保護。

          但是,美國技術行業仍處于陰云密布之中,對于被美國列入實體名單的華為公司及其本身的供應商地位,沒有明確的解決方案。而且根據華爾街日報最新報道,截至收盤,費城半導體指數下跌超過1%,30家公司指數的股票處于虧損。人們被再次提醒:半導體技術,仍然是兩國之間最有爭議的問題焦點。

          華為積極建立國產供應鏈,應對外部貿易不確定性

          2020年,全球的電子產業供應鏈的風向已變,從以往追求極致效率,到現在變為追求平衡效率與控制風險。在5G通信領域,全球的競爭已經走向白熱化,美國對中國廠商的芯片斷供事件,也威脅中國5G基站和網絡的快速布局。華為作為全球領先的5G通信設備商之一,對于全球貿易不穩定對其業務發展的障礙,最為清楚。

          華為輪值董事長徐直軍表示,在新年致辭中表示:“2020年將是華為艱難的一年,我們繼續處于‘實體清單’下,沒有了2019年上半年的快速增長與下半年的市場慣性,除了自身的奮斗,我們唯一可依賴的是客戶和伙伴的信任與支持。生存下來是我們的第一優先”。

          華為供應鏈的國產化,是被逼出來的結果。TMT行業資深專家古嘉元認為,中國5G的加速誕生在貿易摩擦、去全球化浪潮的大背景下,5G基站和手機都需要搭載更復雜的射頻半導體,華為智能手機和5G基站作為全球領導的品牌之一,給予國內科技零部件廠商更多進口替代的機會。華為建立國產供應鏈也是順勢而為。

          華為釋出訂單,關鍵組件所在的領域加速國產替代

          在經歷了2019年與美國的抗爭之后,華為正在擴大其自研麒麟芯片的適用范圍,原來麒麟系列主要在旗艦機型上適用,現在也慢慢擴大到中端機型上。華為海思半導體已開發了200種具有自主知識產權的芯片,并申請了5000項專利。2019年,華為海思發布了多款針對數據中心、高速網絡、固態硬盤(SSD)、人工智能及高效能運算(AI/HPC)新芯片,全力提升芯片自給率,國外市調機構的高級分析師認為,華為正在努力不斷替換其設備中的美國組件,實現戰略級替換。

          圖:華為部分替代供應商列表。

          2019年,華為在全球5G市場交付基站數量排位第一,從華為公布的數據看,華為5G基站模塊的發貨量從2019年5月份之后增長了300%,從5月的10萬個增長至10月底的40萬個。9月底,華為表示,它已經開始生產不含美國零部件的5G基站。

          在5G基站設備中,華為已經實現了芯片全國產化,并且性能表現并不遜色于采用美國芯片的5G基站設備,華為目前也正在擴大日韓企業的合作,來全面替換美國零部件供應,在日本采購的元器件主要有Sony(供應影像感測器)、鎧俠(Kioxia,供應 NAND Flash)、Japan Display Inc(JDI,供應液晶面板)、村田制作所(供應電容)、太陽誘電(供應電容)、Alps Alpine(供應電子零件)等。

          此外,在5G智能手機領域,2020年1月15日,華為手機總裁何剛在微博宣布,截止2019年12月底,華為5G手機全球總發貨量突破690萬臺。

          中國是全球最大的通信消費市場,也擁有最大的5G建設投資,足以支撐起5G產業鏈的發展,華為在技術和市場方面均加大對產業鏈的扶持力度,國產替代和自主可控成為不可逆轉的趨勢。以即將在2020年春季發布的華為P40系列5G手機為例,目前已有國產SAW濾波器廠商正在替代海外廠商進行驗證,據臺灣供應鏈消息,P40系列射頻前端的SAW濾波器由麥捷科技供貨。此前,華為Mate30濾波器的供應廠商信維通信、三安光電和卓勝微均為國產廠商。

          DRAM、NAND閃存等產品,國內紫光國芯、合肥長鑫、長江存儲都已開始量產,獲得市場認可不過是個時間過程,如果指標合格,那將被華為存儲業務、筆記本和手機商用。

          日前,業界傳出美國商務部可能將禁令規范中的美國技術含量標準線從25%壓低至10%,引發的后續效應是臺積電的16nm以上的工藝技術無法繼續為華為代工,華為海思半導體已經下單中芯國際新出爐的14nm工藝,此前,華為海思的16nm(除Intel外,業內14nm、16nm同代)訂單主要外委臺積電代工,產能主力集中在2018年底投產的南京廠。

          華為:5G射頻和半導體材料成為投資要點

          在全球貿易不確定的背景下,5G基站建設和手機升級的風險主要來自客戶和供應鏈兩方面。中國5G進展快于海外,對國內產業鏈有助力。半導體領域自主可控為突圍的主要方向。

          我們來梳理一下過去一年華為投資的歷程,投資的企業也是圍繞了半導體材料、電源芯片、汽車芯片、光通信和AI領域,如下圖:

          2019年4月,華為成立哈勃科技投資有限公司,開始針對半導體領域中的企業進行投資。

          在其成立近十個月的時間里,華為哈勃共投資了五家企業(分別為:山東天岳先進材料科技有限公司,杰華特微電子(杭州)有限公司、深思考人工智能機器人科技(北京)有限公司、蘇州裕太車通電子科技有限公司、上海鯤游光電科技有限)。近日,據啟信寶消息顯示,華為哈勃又新增對外投資,投資對象是聲表面波器件生產廠商——無錫市好達電子有限公司。

          以無錫市好達電子為例,據官網資料顯示,好達電子目前擁有能生產0.25um微線條芯片生產線和CSP產品封裝生產線,其主要產品有中頻聲表濾波器(SAW)、聲表諧振器、雙工器及其它射頻濾波器等。產品主要應用于手機、通信基站、LTE模塊、物聯網、車聯網、智能家居及其他射頻通訊領域,目前已經打入了小米、中興、宇龍、金立、三星、富士康等供應鏈。

          在4G時代,一款4G手機中需要用到的濾波器數量可達30個,5G時代,最大的應用終端5G智能手機支持的頻段甚至超過90個,有些全頻支持5G手機的濾波器可能將近200個,這對行業產能帶來壓力,SAW濾波器和BAW濾波器在全球市場價格都被跨國企業壟斷,博通占據了87%的BAW濾波器市場,村田(Murata)占據了50%的SAW濾波器市場,盡管這些市場高度壟斷,但從另外一個方面考慮,國產替代的空間也是非常具有潛力。所以,華為投資無錫市好達電子,儼然也是為這一領域進行提前布局。

          從供應鏈角度分析,半導體領域存在短板,自主可控為解決方案。中國本地供應商在天線環節實力較強,在PA/LNA、濾波器等射頻前端擁有一定的市場地位,但仍有較大的進口替代空間,國產替代空間主要處于半導體領域,包括PA、基帶芯片、數字芯片、模擬芯片、電源芯片等。

          小米投資多家半導體芯片企業,助力物聯網市場

          小米集團董事長兼首席執行官雷軍稱,在過去兩年里,小米投資了12家智能制造和半導體芯片產業,在過去的兩個月已經有3家(晶晨半導體、樂鑫科技、方邦電子)在科創板上市。

          小米以消費類手機和物聯網終端產品起家,具備更多對智能硬件和智能手機的深刻理解。小米重點關注和投資的芯片領域,具體主要包括兩大類:以手機和可穿戴設備為代表的智能家居,以及泛工業領域的物聯網邊緣側設備與芯片。

          小米在物聯網領域投資的企業多是非初創的中生代企業,樂鑫科技和晶晨半導體就是如此。以樂鑫為例,該公司成立于2008年,主攻Wi-Fi MCU,在2016年就獲得了小米的投資。由于樂鑫是小米物聯網設備的主力芯片供應商,小米產品所擁有的巨大市場,帶動了樂鑫業績的突飛猛進。樂鑫科技的營收爆發是在2016年,而小米入股樂鑫恰恰是在2016年。在2016~2018年度,樂鑫營業收入年均復合增長率為96.55%。。

          此外,晶晨半導體也得到了小米系直接或間接的投資和扶持,招股書顯示,小米是晶晨股份的早期客戶,也是目前最大的客戶之一。芯原微電子還是一家芯片IP供應商,是小米的重點投資對象,因為未來物聯網時代,在邊緣測,無論是通信芯片,還是處理器或者AI芯片,都需要大量的IP資源。

          小結:

          華為在2019年全球5G市場的綜合排名亮眼,5G基站出貨量位居第一,智能手機出貨量達到2.4億部,位居全球第二,他帶動了智能手機、5G基站和網絡設備上游的國產供應鏈企業快速進入市場的機會,美國的打壓加速了這個過程。

          小米在智能手機和物聯網市場也是亮點頗多,在雷軍確認智能手機+AIOT雙引擎驅動的長期戰略后,小米在物聯網市場的腳步會加快,給更多國內半導體供應鏈企業帶來商機。我們期盼在這些優秀終端廠商和領先設備廠商的征戰海內外市場中,帶動中國電子產業鏈上游元器件廠商在自身能力和產品質量上的提升。

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          的頭像 汽車玩家 發表于 02-20 21:40 ? 362次 閱讀
          深天馬與華為保持良好合作,有多個項目開案中

          生益科技2019年營收132.41億元

          2月20日晚間,覆銅板龍頭廠商生益科技發布2019年業績快報,公司實現營收132.41億元,同比增長....
          的頭像 汽車玩家 發表于 02-20 21:38 ? 202次 閱讀
          生益科技2019年營收132.41億元

          小米65W氮化鎵充電器有什么優點

          2020年2月13日,小米通過線上直播的形式,面向百萬觀眾,正式發布了小米10Pro系列手機以及部分....
          的頭像 汽車玩家 發表于 02-20 21:17 ? 711次 閱讀
          小米65W氮化鎵充電器有什么優點

          華為發布5G最佳網絡助力5G商業化

          華為運營商BG Marketing與解決方案銷售部總裁彭松今日在華為2020年新產品解決方案發布會上....
          的頭像 汽車玩家 發表于 02-20 21:11 ? 233次 閱讀
          華為發布5G最佳網絡助力5G商業化

          美國Dish運營商將在5G網絡中使用open RAN架構

          據外媒報道,美國有線電視運營商Dish Network董事長Charlie Ergen透露,該公司將....
          的頭像 汽車玩家 發表于 02-20 20:57 ? 217次 閱讀
          美國Dish運營商將在5G網絡中使用open RAN架構

          華為透露已獲91個5G商用合同,歐洲有47個

          華為今日在倫敦舉行產品及解決方案發布會。華為運營商BG總裁丁耘在會上透露,截至目前華為已獲得91個5....
          的頭像 汽車玩家 發表于 02-20 20:53 ? 318次 閱讀
          華為透露已獲91個5G商用合同,歐洲有47個

          開放了SCP協議,給華為手機充電沒有出現超級快充是怎么回事?

          1.首先確定手機型號是否支持SCP協議(超級快充) 2.是否使用的是華為線進行充電,使用非華為線充電只會顯示快速充電 ...
          發表于 02-20 09:20 ? 63次 閱讀
          開放了SCP協議,給華為手機充電沒有出現超級快充是怎么回事?

          半導體名詞解釋(三)

          184) Short Channel Effect  短通道效應當MOS組件愈小,信道的長度將隨之縮短,電晶體的操作速度將加快,但是,...
          發表于 02-17 12:20 ? 261次 閱讀
          半導體名詞解釋(三)

          半導體名詞解釋(一)

          1) Acetone 丙酮丙酮是有機溶劑的一種,分子式為CH3COCH3性質:無色,具剌激性薄荷臭味的液體用途:在FAB內的用途,主...
          發表于 02-17 12:05 ? 192次 閱讀
          半導體名詞解釋(一)

          小熊派華為物聯網操作系統LiteOS內核教程06-內存管理

          1. LiteOS內核的內存管理1.1. 內存管理在系統運行的過程中,一些內存空間大小是不確定的,比如一些數據緩沖區,所以系統需要提...
          發表于 01-19 11:03 ? 863次 閱讀
          小熊派華為物聯網操作系統LiteOS內核教程06-內存管理

          小熊派華為物聯網操作系統 LiteOS內核教程04-信號量

          1. LiteOS內核的信號量1.1.信號量在多任務操作系統中,不同的任務之間需要同步運行,信號量功能可以為用戶提供這方面的支持。...
          發表于 01-18 11:04 ? 7623次 閱讀
          小熊派華為物聯網操作系統 LiteOS內核教程04-信號量

          小熊派華為物聯網操作系統 LiteOS內核教程03-任務管理

          1. LiteOS內核的任務管理Huawei LiteOS 內核提供任務的創建、刪除、延遲、掛起、恢復等功能,以及鎖定和解鎖任務調度,支...
          發表于 01-18 11:03 ? 3679次 閱讀
          小熊派華為物聯網操作系統 LiteOS內核教程03-任務管理

          13年華為工程師分享:持續積累經驗才能做好硬件技術

          嘉賓介紹:唐石平老師,技術總監/資深FAE,1998年畢業于清華大學。20年來一直奮戰在技術工作崗位;其中13年華為硬件技術領域...
          發表于 12-17 16:01 ? 15873次 閱讀
          13年華為工程師分享:持續積累經驗才能做好硬件技術

          TTL,COMS電平邏輯分析

          分享一份華為電平邏輯分析的資料
          發表于 12-03 00:52 ? 462次 閱讀
          TTL,COMS電平邏輯分析

          如何區分高度本征和高度補償半導體?

          如何區分高度本征和高度補償半導體?
          發表于 11-26 15:00 ? 568次 閱讀
          如何區分高度本征和高度補償半導體?

          電力半導體模塊有什么特點?

          模塊化,按最初的定義是把兩個或兩個以上的電力半導體芯片按一定的電路結構相聯結,用RTV、彈性硅凝膠、環氧樹脂等保護材料,...
          發表于 11-11 09:02 ? 1362次 閱讀
          電力半導體模塊有什么特點?

          LM324LV 4 通道行業標準低電壓運算放大器

          LM3xxLV系列包括單個LM321LV,雙LM358LV和四個LM324LVoperational放大器或運算放大器。這些器件采用2.7 V至5.5 V的低電壓工作。 這些運算放大器是LM321,LM358和LM324的替代產品,適用于對成本敏感的低電壓應用。一些應用是大型電器,煙霧探測器和個人電子產品。 LM3xxLV器件在低電壓下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。運算放大器在單位增益下穩定,在過驅動條件下不會反相。 ESD設計為LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM規格。 LM3xxLV系列提供具有行業標準的封裝。這些封裝包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封裝。 特性 用于成本敏感系統的工業標準放大器 低輸入失調電壓:±1 mV 共模電壓范圍包括接地 單位增益帶寬:1 MHz 低寬帶噪聲:40 nV /√ Hz < li>低靜態電流:90μA/Ch 單位增益穩定 工作電壓為2.7 V至5.5 V 提供單,雙和四通道變體 穩健的ESD規范:2 kV HBM 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
          發表于 01-08 17:51 ? 970次 閱讀
          LM324LV 4 通道行業標準低電壓運算放大器

          TLV9052 5MHz、15-V/μs 高轉換率 RRIO 運算放大器

          TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分別是單,雙和四運算放大器。這些器件針對1.8 V至5.5 V的低電壓工作進行了優化。輸入和輸出可以以非常高的壓擺率從軌到軌工作。這些器件非常適用于需要低壓工作,高壓擺率和低靜態電流的成本受限應用。這些應用包括大型電器和三相電機的控制。 TLV905x系列的容性負載驅動為200 pF,電阻性開環輸出阻抗使容性穩定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因為器件是統一的 - 增益穩定,包括一個RFI和EMI濾波器,在過載條件下不會發生反相。 特性 高轉換率:15 V /μs 低靜態電流:330μA 軌道-to-Rail輸入和輸出 低輸入失調電壓:±0.33 mV 單位增益帶寬:5 MHz 低寬帶噪聲:15 nV /√ Hz 低輸入偏置電流:2 pA Unity-Gain穩定 內部RFI和EMI濾波器 適用于低成本應用的可擴展CMOS運算放大器系列 工作電壓低至1.8 V 由于電阻開環,電容負載更容易穩定輸出阻抗 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
          發表于 01-08 17:51 ? 227次 閱讀
          TLV9052 5MHz、15-V/μs 高轉換率 RRIO 運算放大器

          TMP422-EP 增強型產品,具有 N 因數和串聯電阻校正的 ±1°C 雙路遠程和本地溫度傳感器

          TMP422是具有內置本地溫度傳感器的遠程溫度傳感器監視器。遠程溫度傳感器具有二極管連接的晶體管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 類晶體管或者作為微控制器,微處理器,或者FPGA組成部分的二極管。 無需校準,對多生產商的遠程精度是±1°C。這個2線串行接口接受SMBus寫字節,讀字節,發送字節和接收字節命令對此器件進行配置。 TMP422包括串聯電阻抵消,可編程非理想性因子,大范圍遠程溫度測量(高達150℃),和二極管錯誤檢測。 TMP422采用SOT23-8封裝。 特性 SOT23-8封裝 ±1°C遠程二極管傳感器(最大值) ±2.5°C本地溫度傳感器(最大值) 串聯電阻抵消 n-因子校正 兩線/SMBus串口 多重接口地址 二極管故障檢測 RoHS兼容和無Sb /Br 參數 與其它產品相比?數字溫度傳感器 ? Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) ? TMP422-...
          發表于 01-08 17:51 ? 176次 閱讀
          TMP422-EP 增強型產品,具有 N 因數和串聯電阻校正的 ±1°C 雙路遠程和本地溫度傳感器

          LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電流降壓轉換器和雙路線性穩壓器

          LP8733xx-Q1專為滿足的電源管理要求而設計,這些處理器和平臺用于汽車應用中的閉環性能。該器件具有兩個可配置為單個兩相穩壓器或兩個單相穩壓器的降壓直流/直流轉換器和兩個線性穩壓器以及通用數字輸出信號。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動PWM /PFM(AUTO模式)操作與自動相位增加/減少相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持遠程電壓檢測(采用兩相配置的差分),可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8733xx-Q1器件支持可編程啟動和關斷延遲與排序(包括與使能信號同步的GPO信號)。在啟動和電壓變化期間,器件會對出轉換率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性:器件溫度 1 級:-40℃ 至 +125℃ 的環境運行溫度范圍輸入電壓:2.8V 至 5.5V兩個高效降壓直流/直流轉換器:輸出電壓:0.7V 至 3.36V最大輸出電流 3A/相采用兩相配置的自動相位增加/減少和強制多相操作采用兩相配置的遠...
          發表于 01-08 17:51 ? 223次 閱讀
          LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電流降壓轉換器和雙路線性穩壓器

          TPS3840 具有手動復位和可編程復位時間延遲功能的毫微功耗高輸入電壓監控器

          TPS3840系列電壓監控器或復位IC可在高電壓下工作,同時在整個V DD 上保持非常低的靜態電流和溫度范圍。 TPS3840提供低功耗,高精度和低傳播延遲的最佳組合(t p_HL =30μs典型值)。 當VDD上的電壓低于負電壓閾值(V IT - )或手動復位拉低邏輯(V MR _L )。當V DD 上升到V IT - 加滯后(V IT + )和手動復位( MR )時,復位信號被清除)浮動或高于V MR _H ,復位時間延遲(t D )到期??梢酝ㄟ^在CT引腳和地之間連接一個電容來編程復位延時。對于快速復位,CT引腳可以懸空。 附加功能:低上電復位電壓(V POR ), MR 和VDD的內置線路抗擾度保護,內置遲滯,低開漏輸出漏電流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的電壓監測解決方案,適用于工業應用和電池供電/低功耗應用。 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 特性 寬工作電壓:1.5 V至10 V 納米電源電流:350 nA(典型值) 固定閾值電壓(V IT - ) 閾值從1.6 V到4.9 V,步長為0.1 V 高精度:1%(典型值) 內置滯后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
          發表于 01-08 17:51 ? 395次 閱讀
          TPS3840 具有手動復位和可編程復位時間延遲功能的毫微功耗高輸入電壓監控器

          INA240-SEP 采用增強型航天塑料且具有增強型 PWM 抑制功能的 80V、高/低側、零漂移電流檢測放大器

          INA240-SEP器件是一款電壓輸出,電流檢測放大器,具有增強的PWM反射功能,能夠在寬共模電壓下檢測分流電阻上的壓降范圍為-4V至80V,與電源電壓無關。負共模電壓允許器件在地下工作,適應典型電磁閥應用的反激時間。 EnhancedPWM抑制為使用脈沖寬度調制(PWM)信號的大型共模瞬變(ΔV/Δt)系統(如電機驅動和電磁閥控制系統)提供高水平的抑制。此功能可實現精確的電流測量,無需大的瞬態電壓和輸出電壓上的相關恢復紋波。 該器件采用2.7 V至5.5 V單電源供電,最大電源電流為2.4 mA 。固定增益為20 V /V.零漂移架構的低失調允許電流檢測,分流器上的最大壓降低至10 mV滿量程。 特性 VID V62 /18615 抗輻射 單事件閂鎖(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圓批次可達30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空間增強塑料 受控基線 金線 NiPdAu LeadFinish < /li> 一個裝配和測試現場 一個制造現場 可用于軍用(-55°C至125°C)溫度范圍 ExtendedProduct生命周期 擴展產品更改通知 產品可追溯性 用于低釋氣的增強型模具化合物 增強型PWM抑制 出色...
          發表于 01-08 17:51 ? 137次 閱讀
          INA240-SEP 采用增強型航天塑料且具有增強型 PWM 抑制功能的 80V、高/低側、零漂移電流檢測放大器

          LM96000 具有集成風扇控制的硬件監控器

          LM96000硬件監視器具有與SMBus 2.0兼容的雙線數字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000測量: 兩個遠程二極管連接晶體管及其自身裸片的溫度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V電源(內部定標電阻)。 為了設置風扇速度,LM96000有三個PWM輸出,每個輸出由三個溫度區域之一控制。支持高和低PWM頻率范圍。 LM96000包括一個數字濾波器,可調用該濾波器以平滑溫度讀數,從而更好地控制風扇速度。 LM96000有四個轉速計輸入,用于測量風扇速度。包括所有測量值的限制和狀態寄存器。 特性 符合SMBus 2.0標準的2線制串行數字接口 8位ΣΔADC 監控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/處理器電源 監控2個遠程熱二極管 基于溫度讀數的可編程自主風扇控制 風扇控制溫度讀數的噪聲過濾 1.0°C數字溫度傳感器分辨率 3 PWM風扇速度控制輸出 提供高低PWM頻率范圍 4風扇轉速計輸入 監控5條VID控制線 24針TSSOP封裝 XOR-tree測試模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
          發表于 01-08 17:51 ? 313次 閱讀
          LM96000 具有集成風扇控制的硬件監控器

          LM63 具有集成風扇控制的準確遠程二極管數字溫度傳感器

          LM63是一款帶集成風扇控制的遠程二極管溫度傳感器。 LM63精確測量:(1)自身溫度和(2)二極管連接的晶體管(如2N3904)或計算機處理器,圖形處理器單元(GPU)和其他ASIC上常見的熱敏二極管的溫度。 LM63遠程溫度傳感器的精度針對串聯電阻和英特爾0.13μm奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱敏二極管的1.0021非理想性進行了工廠調整。 LM63有一個偏移寄存器,用于校正由其他熱二極管的不同非理想因素引起的誤差。 LM63還具有集成的脈沖寬度調制(PWM)開漏風扇控制輸出。風扇速度是遠程溫度讀數,查找表和寄存器設置的組合。 8步查找表使用戶能夠編程非線性風扇速度與溫度傳遞函數,通常用于靜音聲學風扇噪聲。 特性 準確感應板載大型處理器或ASIC上的二極管連接2N3904晶體管或熱二極管 準確感知其自身溫度< /li> 針對英特爾奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱二極管的工廠調整 集成PWM風扇速度控制輸出 使用用戶可編程降低聲學風扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 輸出或轉速計輸入,功能的多功能,用戶可選引腳 用于測量風扇RPM的轉速計輸入< /li> 用于測量典型應用中脈沖寬度調制功率的風扇轉速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可針對...
          發表于 01-08 17:51 ? 329次 閱讀
          LM63 具有集成風扇控制的準確遠程二極管數字溫度傳感器

          AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達傳感器

          AWR1843器件是一款集成的單芯片FMCW雷達傳感器,能夠在76至81 GHz頻段內工作。該器件采用TI的低功耗45納米RFCMOS工藝制造,可在極小的外形尺寸內實現前所未有的集成度。 AWR1843是汽車領域低功耗,自監控,超精確雷達系統的理想解決方案。 AWR1843器件是一款獨立的FMCW雷達傳感器單芯片解決方案,可簡化在76至81 GHz頻段內實施汽車雷達傳感器。它基于TI的低功耗45納米RFCMOS工藝,可實現具有內置PLL和A2D轉換器的3TX,4RX系統的單片實現。它集成了DSP子系統,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷達信號處理。該設備包括BIST處理器子系統,負責無線電配置,控制和校準。此外,該器件還包括一個用戶可編程ARM R4F,用于汽車接口。硬件加速器模塊(HWA)可以執行雷達處理,并可以幫助在DSP上保存MIPS以獲得更高級別的算法。簡單的編程模型更改可以實現各種傳感器實現(短,中,長),并且可以動態重新配置以實現多模傳感器。此外,該設備作為完整的平臺解決方案提供,包括參考硬件設計,軟件驅動程序,示例配置,API指南和用戶文檔。 特性 FMCW收發器 集成PLL,發送器,接收...
          發表于 01-08 17:51 ? 1134次 閱讀
          AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達傳感器

          OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密運算放大器

          OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度運算放大器是超低噪聲,快速穩定,零漂移,零交叉器件,可實現軌到軌輸入和輸出運行。這些特性及優異交流性能與僅為0.25μV的偏移電壓以及0.005μV/°C的溫度漂移相結合,使OPAx388成為驅動高精度模數轉換器(ADC)或緩沖高分辨率數模轉換器(DAC)輸出的理想選擇。該設計可在驅動模數轉換器(ADC)的過程中實現優異性能,不會降低線性度.OPA388(單通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三種封裝.OPA2388(雙通道版本)提供VSSOP-8和SO-8兩種封裝.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14兩種封裝。上述所有版本在-40°C至+ 125°C擴展工業溫度范圍內額定運行。 特性 超低偏移電壓:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR實際RRIO 低噪聲:1kHz時為7.0nV /√ Hz 無1 /f噪聲:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速穩定:2μs(1V至0.01%) 增益帶寬:10MHz 單電源:2.5V至5.5V 雙電源:±1.25V至±2.75V 真實軌到軌輸入和輸出 已濾除電磁干擾( EMI)/射頻干擾(RFI)的輸入 行業標...
          發表于 01-08 17:51 ? 185次 閱讀
          OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密運算放大器

          TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

          TLVx314-Q1系列單通道,雙通道和四通道運算放大器是新一代低功耗,通用運算放大器的典型代表。該系列器件具有軌到軌輸入和輸出(RRIO)擺幅,低靜態電流(5V時典型值為150μA),3MHz高帶寬等特性,非常適用于需要在成本與性能間實現良好平衡的各類電池供電型應用。 TLVx314-Q1系列可實現1pA低輸入偏置電流,是高阻抗傳感器的理想選擇。 TLVx314-Q1器件采用穩健耐用的設計,方便電路設計人員使用。該器件具有單位增益穩定性,支持軌到軌輸入和輸出(RRIO),容性負載高達300PF,集成RF和EMI抑制濾波器,在過驅條件下不會出現反相并且具有高靜電放電(ESD)保護(4kV人體模型(HBM))。 此類器件經過優化,適合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低電壓狀態下工作并可在-40°C至+ 125°C的擴展工業溫度范圍內額定運行。 TLV314-Q1(單通道)采用5引腳SC70和小外形尺寸晶體管(SOT)-23封裝.TLV2314-Q1(雙通道版本)采用8引腳小外形尺寸集成電路(SOIC)封裝和超薄外形尺寸(VSSOP)封裝。四通道TLV4314-Q1采用14引腳薄型小外形尺寸(TSSOP)封裝。 特性 符合汽車類應用的要求 具...
          發表于 01-08 17:51 ? 133次 閱讀
          TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

          DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

          DRV5021器件是一款用于高速應用的低壓數字開關霍爾效應傳感器。該器件采用2.5V至5.5V電源工作,可檢測磁通密度,并根據預定義的磁閾值提供數字輸出。 該器件檢測垂直于封裝面的磁場。當施加的磁通密度超過磁操作點(B OP )閾值時,器件的漏極開路輸出驅動低電壓。當磁通密度降低到小于磁釋放點(B RP )閾值時,輸出變為高阻抗。由B OP 和B RP 分離產生的滯后有助于防止輸入噪聲引起的輸出誤差。這種配置使系統設計更加強大,可抵抗噪聲干擾。 該器件可在-40°C至+ 125°C的寬環境溫度范圍內始終如一地工作。 特性 數字單極開關霍爾傳感器 2.5 V至5.5 V工作電壓V CC 范圍 磁敏感度選項(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感應帶寬 開漏輸出能夠達到20 mA 優化的低壓架構 集成滯后以增強抗噪能力 工作溫度范圍:-40° C至+ 125°C 標準工業封裝: 表面貼裝SOT-23 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?霍爾效應鎖存器和開關 ? Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
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          DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

          TLV1805-Q1 具有關斷功能的 40V 微功耗推挽式汽車類高電壓比較器

          TLV1805-Q1高壓比較器提供寬電源范圍,推挽輸出,軌到軌輸入,低靜態電流,關斷的獨特組合和快速輸出響應。所有這些特性使該比較器非常適合需要檢測正或負電壓軌的應用,如智能二極管控制器的反向電流保護,過流檢測和過壓保護電路,其中推挽輸出級用于驅動柵極p溝道或n溝道MOSFET開關。 高峰值電流推挽輸出級是高壓比較器的獨特之處,它具有允許輸出主動驅動負載到電源軌的優勢具有快速邊緣速率。這在MOSFET開關需要被驅動為高或低以便將主機與意外高壓電源連接或斷開的應用中尤其有價值。低輸入失調電壓,低輸入偏置電流和高阻態關斷等附加功能使TLV1805-Q1足夠靈活,可以處理幾乎任何應用,從簡單的電壓檢測到驅動單個繼電器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100標準,采用6引腳SOT-23封裝,額定工作溫度范圍為-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下結果: DeviceTemperature 1級:-40°C至+ 125°C環境溫度工作溫度 器件HBMESD分類等級2 器件CDM ESD分類等級C4A 3.3 V至40 V電源范圍 低靜態電流:每個比較器150μA 兩個導軌以外的輸入共模范圍 相位反轉保護 推 - 拉輸出 250ns傳播延遲 低輸入失...
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          TLV1805-Q1 具有關斷功能的 40V 微功耗推挽式汽車類高電壓比較器

          TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地溫度傳感器

          這個遠程溫度傳感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶體管,或者基板熱晶體管/二極管,這些器件都是微處理器,模數轉換器(ADC),數模轉換器(DAC),微控制器或現場可編程門陣列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和遠程傳感器均用12位數字編碼表示溫度,分辨率為0.0625°C。此兩線制串口接受SMBus通信協議,以及多達9個不同的引腳可編程地址。 該器件將諸如串聯電阻抵消,可編程非理想性因子(η因子),可編程偏移,可編程溫度限制和可編程數字濾波器等高級特性完美結合,提供了一套準確度和抗擾度更高且穩健耐用的溫度監控解決方案。 TMP461-SP是在各種分布式遙測應用中進行多位置高精度溫度測量的理想選擇這類集成式本地和遠程溫度傳感器可提供一種簡單的方法來測量溫度梯度,進而簡化了航天器維護活動。該器件的額定電源電壓范圍為1.7V至3.6V,額定工作溫度范圍為-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV標準:5962-1721801VXC 熱增強型HKU封裝 經測試,在50rad /s的高劑量率(HDR)下,可抵抗高達50krad(Si)的電離輻射總劑量(TID) 經測試,在10mrad /s的低劑量率(LDR)下,可抵抗高達100krad(Si)的電離輻射...
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          TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地溫度傳感器

          LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

          LP87524B /J /P-Q1旨在滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求。該器件包含四個降壓DC-DC轉換器內核,配置為4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自動PFM /PWM(自動模式)操作可在寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持遠程電壓檢測,以補償穩壓器輸出和負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,開關時鐘可以強制為PWM模式,也可以與外部時鐘同步,以最大限度地減少干擾。 LP87524B /J /P-Q1器件支持負載電流測量,無需增加外部電流檢測電阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1還支持可編程的啟動和關閉延遲以及與信號同步的序列。這些序列還可以包括GPIO信號,以控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位。在啟動和電壓變化期間,器件控制輸出壓擺率,以最大限度地減少輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車應用要求 AEC-Q100符合以下結果: 設備溫度等級1:-40°C至+ 125°C環境工作溫度 輸入電壓:2.8 V至5.5 V 輸出電壓:0.6 V至3.36 V 四個高效降壓型DC-DC轉換器內核: 總輸出電流高達10 A 輸出電壓漏電率...
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          LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

          TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

          TAS2562是一款數字輸入D類音頻放大器,經過優化,能夠有效地將高峰值功率驅動到小型揚聲器應用中。 D類放大器能夠在電壓為3.6 V的情況下向6.1負載提供6.1 W的峰值功率。 集成揚聲器電壓和電流檢測可實現對揚聲器的實時監控。這允許在將揚聲器保持在安全操作區域的同時推動峰值SPL。具有防止掉電的電池跟蹤峰值電壓限制器可優化整個充電周期內的放大器裕量,防止系統關閉。 I 2 S /TDM + I中最多可有四個器件共用一個公共總線 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm間距CSP封裝,尺寸緊湊。 高性能D類放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V時4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V時為8Ω) 15μVrmsA加權空閑信道噪聲 112.5dB SNR為1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 紋波頻率為20 - 20 kHz 83.5%效率為1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW關斷VBAT電流 揚聲器電壓和電流檢測 VBAT跟蹤峰值電壓限制器,具有欠壓預防 8 kHz至192 kHz采樣率 靈活的用戶界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4個可選擇的地址 MCLK免費操作 低流行并點...
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          TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

          LM358B 雙路運算放大器

          LM358B和LM2904B器件是業界標準的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括兩個高壓(36V)操作放大器(運算放大器)。這些器件為成本敏感型應用提供了卓越的價值,具有低失調(300μV,典型值),共模輸入接地范圍和高差分輸入電壓能力等特點。 LM358B和LM2904B器件簡化電路設計具有增強穩定性,3 mV(室溫下最大)的低偏移電壓和300μA(典型值)的低靜態電流等增強功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF濾波器,可用于最堅固,極具環境挑戰性的應用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封裝,例如TSOT-8和WSON,以及行業標準封裝,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的寬電源范圍(B版) 供應 - 電流為300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的單位增益帶寬(B版) 普通 - 模式輸入電壓范圍包括接地,使能接地直接接地 25°C時低輸入偏移電壓3 mV(A和B型號,最大值) 內部RF和EMI濾波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的產品上,除非另有說明,否則所有參數均經過測試。在所有其他產品上,生產加工不一定包括所有參數的測試。 所...
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          LM358B 雙路運算放大器

          LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

          LP8756x-Q1器件專為滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置為1個四相輸出,1個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動脈寬調制(PWM)到脈頻調制(PFM)操作( AUTO模式)與自動增相和切相相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸出的遠程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況下進行負載電這個序列可能包括用于控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位的GPIO信號。在啟動和電壓變化期間,該器件會對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的下列特性: 器件溫度1級:-40℃至+ 125℃的環境運行溫度范圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
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          LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

          LM2902LV 行業標準、低電壓放大器

          LM290xLV系列包括雙路LM2904LV和四路LM2902LV運算放大器。這些器件由2.7V至5.5V的低電壓供電。 這些運算放大器可以替代低電壓應用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些應用是大型電器,煙霧探測器和個人電子產品.LM290xLV器件在低電壓下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗盡。這些運算放大器具有單位增益穩定性,并且在過驅情況下不會出現相位反轉.ESD設計為LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM規格。 LM290xLV系列采用行業標準封裝。這些封裝包括SOIC,VSSOP和TSSOP封裝。 特性 適用于成本敏感型系統的工業標準放大器 低輸入失調電壓:±1mV < LI>共模電壓范圍包括接地 單位增益帶寬:1MHz的 低寬帶噪聲:40nV /√赫茲 低靜態電流:90μA/通道 單位增益穩定 可在2.7V至5.5V的電源電壓下運行 提供雙通道和四通道型號< /li> 嚴格的ESD規格:2kV HBM 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
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          LM2902LV 行業標準、低電壓放大器

          LP87561-Q1 具有集成開關的四相 16A 降壓轉換器

          LP8756x-Q1器件專為滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置為1個四相輸出,1個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動脈寬調制(PWM)到脈頻調制(PFM)操作( AUTO模式)與自動增相和切相相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸出的遠程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況下進行負載電這個序列可能包括用于控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位的GPIO信號。在啟動和電壓變化期間,該器件會對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的下列特性: 器件溫度1級:-40℃至+ 125℃的環境運行溫度范圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
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          LP87561-Q1 具有集成開關的四相 16A 降壓轉換器
          2019中文字幕视频
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