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        1. 電子發燒友網 > 電源/新能源 > 正文

          ROHM開發出采用4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

          2019年09月24日 14:39 ? 次閱讀

            全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都),開發出6款溝槽柵結構※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產品(650V/1200V耐壓),非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。

            ROHM開發出采用4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

            此次新開發的系列產品采用4引腳封裝(TO-247-4L),可充分地發揮出SiC MOSFET本身的高速開關性能。與以往3引腳封裝(TO-247N)相比,開關損耗可降低約35%,非常有助于進一步降低各種設備的功耗。

            另外,羅姆也已開始供應SiC MOSFET評估板“P02SCT3040KR-EVK-001”,該評估板中配置有非常適用于SiC元器件的驅動的ROHM柵極驅動器IC(BM6101FV-C)、各種電源IC及分立產品,可為客戶提供輕松進行元器件評估的解決方案。

            本系列產品已于2019年8月起以月產50萬個的規模逐步投入量產(樣品價格2,100日元起,不含稅)。生產基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡)。此外,本系列產品和評估板已于2019年9月起開始網售,可從AMEYA360、icHub購買。

            近年來,隨著AIIoT的發展與普及,對云服務的需求日益增加,與此同時,在全球范圍對數據中心的需求也隨之增長。數據中心所使用的服務器正在向大容量、高性能方向發展,而如何降低功耗量就成為一個亟需解決的課題。另一方面,以往服務器的功率轉換電路中,主要采用的是硅(Si)元器件,如今,損耗更低的SiC元器件被寄予厚望。特別是采用了TO-247-4L封裝的SiC MOSFET,與以往封裝相比,可降低開關損耗,因此有望應用于服務器、基站、太陽能發電等高輸出應用中。

            2015年,ROHM于全球第一家成功實現溝槽柵結構SiC MOSFET的量產,并一直致力于領先于行業的產品開發。此次新開發出650V/1200V耐壓的低損耗SiC MOSFET,未來也會繼續推進創新型元器件的開發,同時提供包括非常適用于SiC驅動的柵極驅動器IC等在內的解決方案,為進一步降低各種設備的功耗貢獻力量。

          ROHM開發出采用4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

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            采用4引腳封裝(TO-247-4L),開關損耗降低約35%

            在傳統的3引腳封裝(TO-247N)中,源極引腳的電感分量※2)會引起柵極電壓下降,并導致開關速度延遲。

            此次,SCT3xxx xR系列所采用的4引腳封裝(TO-247-4L),可以分離電源源極引腳和驅動器源極引腳,因此,可減少電感分量的影響。這樣,能夠充分地發揮出SiC MOSFET的高速開關性能,尤其是可以顯著改善導通損耗。與以往產品相比,導通損耗和關斷損耗合起來預計可降低約35%的損耗。

           

          ROHM開發出采用4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

           ?。籍a品陣容>

            SCT3xxx xR系列是采用溝槽柵結構的SiC MOSFET。此次新推出了共6款機型,其中包括650V的3款機型和1200V的3款機型。

          ROHM開發出采用4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

           ?。紤茫?/strong>

            服務器、基站、太陽能逆變器、蓄電系統、電動汽車的充電站等。

           ?。荚u估板信息>

            SiC MOSFET評估板“P02SCT3040KR-EVK-001”中配備了非常適用于SiC元器件驅動的ROHM柵極驅動器IC(BM6101FV-C)、各種電源IC及分立產品,可輕松進行元器件的評估。為了提供在同一條件下的評估環境,該評估板不僅可以評估TO-247-4L封裝的產品,還可安裝并評估TO-247N封裝的產品。另外,使用該評估板,可進行雙脈沖測試、Boost電路、兩電平逆變器、同步整流型Buck電路等評估。

            開始銷售時間? ? 2019年9月

            評估板型號? ? ? ?P02SCT3040KR-EVK-001

            網售平臺? ? ? ? ? AMEYA360、icHub

            支持頁面? ? ? ? ??https://www.rohm.com.cn/power-device-support

            評估板的構成

          ROHM開發出采用4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

           ?。夹g語解說>

            ※1 溝槽柵結構

            溝槽(Trench)意為凹槽。是在芯片表面形成凹槽,并在其側壁形成MOSFET柵極的結構。不存在平面型MOSFET在結構上存在的JFET電阻,比平面結構更容易實現微細化,有望實現接近SiC材料原本性能的導通電阻。

            ※2 電感分量

            表示電流變化時由電磁感應產生的電動勢大小的量。

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          0是一款可調輸出非同步升壓控制器,用于驅動外部N溝道MOSFET。該器件采用峰值電流模式控制和內部斜率補償。該IC集成了一個內部穩壓器,為柵極驅動器提供電荷。保護功能包括內部設置軟啟動,欠壓鎖定,逐周期電流限制,打嗝模式短路保護和熱關斷。其他功能包括低靜態電流睡眠模式和外部同步開關頻率。 特性 優勢 具有內部斜率補償的峰值電流模式控制 在寬輸入電壓和負載范圍內的良好瞬態響應 1.2 V 2%參考電壓 精確的電壓調節 寬輸入電壓范圍3.2 V至40 Vdc,45 V負載轉儲 適用于各種應用 輸入欠壓鎖定(UVLO) 在欠壓條件下禁用啟動 內部軟啟動 Decr緩解浪涌電流 睡眠模式下的低靜態電流 非常低的關閉電流 周期 - 循環電流限制保護 防止過電流情況 打嗝模式短路保護(SCP) 防止短路故障 熱關機(TSD) 熱保護IC 應用 終端產品 啟停系統 SEPIC(同相降壓升壓) 直接注氣 汽車系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 2019-07-29 21:02? 2次閱讀
          NCV8870 非同步升壓控制器 汽車級

          NCV8872 汽車級非同步升壓控制器

          2是一款可調輸出非同步升壓控制器,用于驅動外部N溝道MOSFET。該器件采用峰值電流模式控制和內部斜率補償。該IC集成了一個內部穩壓器,為柵極驅動器提供電荷。保護功能包括內部設置軟啟動,欠壓鎖定,逐周期電流限制,打嗝模式短路保護和熱關斷。其他功能包括低靜態電流睡眠模式和外部同步開關頻率。 特性 優勢 工廠可編程 靈活性 4.8 V至45 V操作 使用反極性保護二極管通過起動和負載轉儲進行操作 -40 C至150 C操作 汽車級 雙功能啟用/同步引腳 緊湊SOIC8包中的額外功能 應用 終端產品 儀表盤 引擎集群 啟動/停止應用程序 導航 LED背光 汽車應用 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 2019-07-29 21:02? 26次閱讀
          NCV8872 汽車級非同步升壓控制器

          NCV8878 汽車級啟停非同步升壓控制器

          8是一款非同步升壓控制器,設計用于在啟動 - 停止車輛操作電池電壓驟降期間提供最小輸出電壓??刂破黩寗油獠縉溝道MOSFET。該器件采用峰值電流模式控制和內部邊坡補償。該IC集成了一個內部穩壓器,為柵極驅動器提供電荷。保護功能包括逐周期電流限制,保護和熱關斷。其他功能包括低靜態電流睡眠模式操作。當電源電壓低于喚醒閾值時,NCV8878被使能。當供電電壓低于調節設定值時,啟動升壓操作。 特性 優勢 自動啟用低于7.3 V(工廠可編程) 緊湊型SOIC8中的額外功能 -40 C至150 C操作 汽車級 休眠模式下的低靜態電流(典型值...
          發表于 2019-07-29 20:02? 0次閱讀
          NCV8878 汽車級啟停非同步升壓控制器

          NCV8852 P溝道 100%占空比 非同步降...

          2是一款可調輸出非同步降壓控制器,用于驅動外部P溝道MOSFET。該器件采用峰值電流模式控制和內部斜率補償。該IC集成了一個內部穩壓器,為柵極驅動器提供電荷。保護功能包括內部軟啟動,欠壓鎖定,逐周期電流限制,打嗝模式過流保護,打嗝模式短路保護。其他功能包括可編程開關頻率,低靜態電流睡眠模式和外部同步開關頻率。 特性 優勢 帶內部斜率補償的峰值電流模式控制 寬輸入電壓范圍內的良好瞬態響應 0.8 V 2%參考電壓 精確的電壓調節 3.1 V至36 Vdc的寬輸入電壓范圍,44 V負載轉儲 適用于各種應用 輸入欠壓鎖定(UVLO ) 禁用欠壓條件下的啟動 內部軟啟動 在啟動期間降低浪涌電流并避免輸出過沖 睡眠模式下的低靜態電流 睡眠電流非常低 可編程固定頻率170 kHz至500 kHz 允許設計靈活性 外部時鐘同步高達600 kHz 允許頻率同步和擴頻操作 逐周期電流限制保護(CL) 保護針對過電流情況 打嗝模式短路保護(SCP) 防止短路故障 熱縮(TSD) 熱保護IC 100%工作周期操作 低轉化率 ...
          發表于 2019-07-29 20:02? 248次閱讀
          NCV8852 P溝道 100%占空比 非同步降...

          NCP81251 單相同步降壓穩壓器 集成功率M...

          51是一款單相同步降壓穩壓器,集成了功率MOSFET,可為VR12嵌入式CPU提供高效,緊湊的電源管理解決方案。該器件能夠在帶SVID接口的可調輸出上提供高達14 A的TDC輸出電流。工作在高達1.2 MHz的高開關頻率允許采用小尺寸電感器和電容器,同時由于采用高性能功率MOSFET的集成解決方案而保持高效率。電流模式RPM控制與輸入電源和輸出電壓的前饋確保穩定運行寬操作條件。 特性 優勢 5V至20V輸入電壓范圍 優化用于超極本和筆記本應用 帶SVID接口的可調輸出電壓 可編程DVID前饋以支持快速DVID 集成柵極驅動器和功率MOSFET 小外形設計 500kH z~1.2MHz開關頻率 減小輸出濾波器尺寸和成本 輸入電源電壓和輸出電壓的前饋操作 快速線路瞬態響應和DVID轉換 過流,過壓/欠壓和熱保護 防止出現故障 5 V至20 V輸入電壓范圍 1.0 V / 1.1 V固定啟動電壓 帶SVID接口的可調輸出電壓 最多14個TDC輸出電流 500 kHz~1.2 MHz開關頻率 當前模式RPM控制 可編程SVID地址和I...
          發表于 2019-07-29 20:02? 0次閱讀
          NCP81251 單相同步降壓穩壓器 集成功率M...

          NCV8853 汽車級非同步降壓控制器

          3是一款可調輸出非同步降壓控制器,用于驅動外部P溝道MOSFET。該器件采用峰值電流模式控制和內部斜率補償。該IC集成了一個內部穩壓器,為柵極驅動器提供電荷。保護功能包括內部軟啟動,欠壓鎖定,逐周期電流限制,打嗝模式過流保護,打嗝模式短路保護。其他功能包括可編程開關頻率,低靜態電流睡眠模式和外部同步開關頻率。 特性 優勢 帶內部斜率補償的峰值電流模式控制 寬輸入電壓范圍內的良好瞬態響應 0.8 V 2%參考電壓 精確的電壓調節 3.1 V至36 Vdc的寬輸入電壓范圍,44 V負載轉儲 適用于各種應用 輸入欠壓鎖定(UVLO ) 禁用欠壓條件下的啟動 內部軟啟動 在啟動期間降低浪涌電流并避免輸出過沖 睡眠模式下的低靜態電流 睡眠電流非常低 電力良好(PG) 簡單數字電源監控 外部時鐘同步高達600 kHz 允許頻率同步和擴頻操作 逐周期電流限制保護(CL) 防止過電流條件 打嗝模式短路保護(SCP) 防止短路故障 熱縮(TSD) 熱保護IC 應用 終端產品 汽車信息娛樂 儀表 集群 汽車系統...
          發表于 2019-07-29 20:02? 183次閱讀
          NCV8853 汽車級非同步降壓控制器

          NCP81246 用于IMVP8的三軌多相降壓控...

          46是一款3軌多相降壓解決方案,針對Intel IMVP8兼容CPU進行了優化。它包含一個兩相和兩個單相導軌,支持Core,GT和SA,配置如下2ph-1ph-1ph,1ph-2ph-1ph和1ph-1ph-1ph。該部件專為Notebook和Ultrabook應用程序而設計。兩相控制器結合了真正的差分電壓檢測,差分電感DCR電流檢測,輸入電壓前饋和自適應電壓定位,以提供精確調節的功率。兩個單相控制器可用于Core,GT或SA導軌。兩者均利用安森美半導體的專利高性能RPM操作。 RPM控制可最大化瞬態響應,同時允許不連續頻率縮放操作和連續模式全功率操作之間的平滑過渡。單相軌道具有超低偏移電流監視放大器,具有可編程偏移補償,可實現超高精度電流監視.NCP81246提供三個內部MOSFET驅動器,具有單個外部PWM信號 特性 優勢 3內部驅動程序 允許高度集成,減少整體解決方案PCB占用空間 高性能RPM控制系統 新1相架構減少了補償元件PWM輸出提供了布線靈活性 多相軌的雙邊沿調制 對瞬態加載的最快初始響應 動態VID前饋 自適應電壓定位(AVP) 開關頻率范圍為300 kHz - 750 kHz 相間動態電流...
          發表于 2019-07-29 20:02? 263次閱讀
          NCP81246 用于IMVP8的三軌多相降壓控...

          NCV8876 汽車級啟停非同步升壓控制器

          6是一款非同步升壓控制器,設計用于在啟動 - 停止車輛運行電池電壓下降期間提供最小輸出電壓??刂破黩寗油獠縉溝道MOSFET。該器件采用峰值電流模式控制和內部斜率補償。該IC集成了一個內部穩壓器,為柵極驅動器提供電荷。保護功能包括逐周期電流限制,保護和熱關斷。其他功能包括低靜態電流睡眠模式操作。當電源電壓低于7.3 V時,NCV8876使能,當電源電壓低于6.8 V時啟動升壓操作。 使用 NCV8876評估板SystemVision設計和模擬環境驗證參數和功能性能,并通過實時虛擬測試更好地了解功能和行為。 特性 優勢 自動啟用低于7.3 V (工廠可編程) 緊湊型SOIC8封裝的額外功能 -40 C至150 C操作 汽車級 2 V至45 V操作 通過曲柄轉動和裝載轉儲進行操作 低靜態曲線睡眠模式(...
          發表于 2019-07-29 20:02? 52次閱讀
          NCV8876 汽車級啟停非同步升壓控制器

          NCV1034 AEC Qual - 100...

          4是一款高壓PWM控制器,專為高性能同步降壓DC-DC應用而設計。 NCV1034采用高達500 kHz的可編程開關頻率驅動一對外部N-MOSFET,可靈活調整IC的工作,以滿足系統級要求。外部同步功能允許簡化系統級過濾器設計。對于低壓應用,可以使用內部1.25 V基準電壓精確調節輸出電壓。提供欠壓鎖定和打嗝電流限制等保護,以便在發生故障時提供所需的系統級安全性。 特性 優勢 輸入電壓高達100V + 48V或+ 60V輸入使用的寬輸入電壓 2輸出驅動能力 能夠使用更大尺寸的FET提高效率 1.25 V +/- 2.5%反溫電壓 整個溫度范圍內的系統級精度優異 外部頻率同步 能夠同步到外部頻率或輸出同步脈沖 可編程切換頻率高達500 kHz 效率和尺寸優化 AEC-Q100合格 中壓DC-DC系統 應用 終端產品 48 V非隔離式DC-DC轉換器 汽車高壓DC-DC轉換器 汽車 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 2019-07-29 20:02? 173次閱讀
          NCV1034 AEC Qual  -  100...

          NCV8871 非同步升壓控制器 汽車級

          1是一款可調輸出非同步升壓控制器,用于驅動外部N溝道MOSFET。該器件采用峰值電流模式控制和內部斜率補償。該IC集成了一個內部穩壓器,為柵極驅動器提供電荷。保護功能包括內部設置軟啟動,欠壓鎖定,逐周期電流限制,打嗝模式短路保護和熱關斷。其他功能包括低靜態電流睡眠模式和外部同步開關頻率。 特性 優勢 具有內部斜率補償的峰值電流模式控制 在寬輸入電壓和負載范圍內的良好瞬態響應 1.2 V 2%參考電壓 精確的電壓調節 寬輸入電壓范圍3.2 V至40 Vdc,45 V負載轉儲 適用于各種應用 輸入欠壓鎖定(UVLO) 在欠壓條件下禁用啟動 內部軟啟動 Decr緩解浪涌電流 睡眠模式下的低靜態電流 非常低的關閉電流 周期 - 循環電流限制保護 防止過電流情況 打嗝模式短路保護(SCP) 防止短路故障 熱關機(TSD) 熱保護IC 應用 終端產品 啟停系統 SEPIC(同相降壓升壓) 直接注氣 汽車系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 2019-07-29 20:02? 244次閱讀
          NCV8871 非同步升壓控制器 汽車級

          NCV8873 非同步升壓控制器 汽車級

          3是一款可調輸出非同步升壓控制器,用于驅動外部N溝道MOSFET。該器件采用峰值電流模式控制和內部斜率補償。該IC集成了一個內部穩壓器,為柵極驅動器提供電荷。保護功能包括內部設置軟啟動,欠壓鎖定,逐周期電流限制和熱關斷。其他功能包括低靜態電流睡眠模式和外部同步開關頻率。 特性 優勢 具有內部斜率補償的峰值電流模式控制 LED PWM調光能力 0.2 V 2%參考電壓恒流負載 寬輸入電壓和負載范圍內的良好瞬態響應 寬輸入電壓范圍為3.2 V至45 V 精確的電流/電壓調節 輸入欠壓鎖定 適用于各種各樣的應用程序 內部軟啟動 禁用啟動在欠壓條件下 睡眠模式下的低靜態電流 降低浪涌電流 逐周期電流限制保護 電流非常低 打嗝模式過流保護 防止過電流情況 熱關機 熱保護IC 應用 終端產品 LED照明,背光,前照燈 啟停系統 升壓,SEPIC(非反相降壓升壓) 直接注氣 汽車系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 2019-07-29 20:02? 171次閱讀
          NCV8873 非同步升壓控制器 汽車級

          NCV898031 非同步SEPIC /升壓控制...

          031是一款可調輸出非同步2 MHz SEPIC / boost控制器,用于驅動外部N溝道MOSFET。該器件采用峰值電流模式控制和內部斜率補償。該IC集成了一個內部穩壓器,為柵極驅動器提供電荷。 保護功能包括內部設置軟啟動,欠壓鎖定,逐周期電流限制和熱關斷。 其他功能包括低靜態電流睡眠模式和微處理器兼容使能引腳。 特性 優勢 具有內部斜率補償的峰值電流模式控制 寬輸入電壓和負載范圍內的良好瞬態響應 1.2 V 2%參考電壓 準確的電壓調節 2 MHz固定頻率操作 卓越的瞬態響應,較小尺寸的濾波元件,基頻高于AM頻段 寬輸入電壓范圍3.2 V至40 V,45 V負載轉儲 適用于各種應用 輸入Und ervoltage Lockout(UVLO) 禁用欠壓條件下的啟動 內部軟啟動 減少啟動期間的浪涌電流 睡眠模式下的低靜態電流 非常低的關閉狀態電流消耗 逐周期電流限制保護 防止過電流情況 打嗝模式短路保護(SCP) 防止短路故障 熱關斷(TSD) 熱保護IC 應用 終端產品 啟動 - 停止系統 SEPIC(非反相降壓 - 升壓),升壓,反激...
          發表于 2019-07-29 19:02? 185次閱讀
          NCV898031 非同步SEPIC /升壓控制...

          NCV8851-1 汽車平均電流模式控制器

          1-1是一款可調輸出,同步降壓控制器,可驅動雙N溝道MOSFET,是大功率應用的理想選擇。平均電流模式控制用于在寬輸入電壓和輸出負載范圍內實現非??焖俚乃矐B響應和嚴格調節。該IC集成了一個內部固定的6.0 V低壓差線性穩壓器(LDO),為開關模式電源(SMPS)底柵驅動器提供電荷,從而限制了過多柵極驅動的功率損耗。該IC設計用于在寬輸入電壓范圍(4.5 V至40 V)下工作,并且能夠在500 kHz下進行10至1次電壓轉換。其他控制器功能包括欠壓鎖定,內部軟啟動,低靜態電流睡眠模式,可編程頻率,SYNC功能,平均電流限制,逐周期過流保護和熱關斷。 特性 優勢 平均電流模式控制 快速瞬態響應和簡單的補償器設計 0.8 V 2%參考電壓 可編程輸出電壓的嚴格公差 4.5 V至40 V的寬輸入電壓范圍 允許通過負載突降情況直接調節汽車電池 6.0 V低壓差線性穩壓器(LDO) 耗材柵極驅動器的內部電源 輸入UVLO(欠壓鎖定) 在欠壓條件下禁用啟動 內部軟啟動 降低浪涌電流并避免啟動時輸出過沖 睡眠模式下1.0μA的最大靜態電流 睡眠電流極低 自適應非重疊...
          發表于 2019-07-29 19:02? 264次閱讀
          NCV8851-1 汽車平均電流模式控制器

          LV5725JA 降壓轉換器 DC-DC 1通道

          JA是一個降壓電壓開關穩壓器。 特性 優勢 寬輸入動態范圍:4.5V至50V 可在任何地方使用 內置過流逐脈沖保護電路,通過外部MOSFET的導通電阻檢測,以及HICCUP方法的過流保護 燒傷保護 熱關閉 熱保護 負載獨立軟啟動電路 控制沖擊電流 外部信號的同步操作 它可以改善發生兩個穩壓器IC之間的振蕩器時鐘節拍 電源正常功能 穩定性操作 外部電壓為輸出電壓高時可用 應用 降壓方式開關穩壓器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 2019-07-29 19:02? 39次閱讀
          LV5725JA 降壓轉換器 DC-DC 1通道

          FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初...

          代初級側調節(PSR)和高度集成的PWM控制器提供多種功能,以增強低功耗反激式轉換器的性能。 FSEZ1317WA的專有拓撲結構TRUECURRENT?可實現精確的CC調節,并簡化電池充電器應用的電路設計。與傳統設計或線性變壓器相比,可以實現低成本,更小,更輕的充電器。為了最大限度地降低待機功耗,專有綠色模式提供關斷時間調制,以在輕載時線性降低PWM頻率條件。綠色模式有助于電源滿足節能要求。 通過使用FSEZ1317WA,可以用很少的外部元件實現充電器并降低成本。 特性 30mW以下的低待機功率 高壓啟動 最少的外部元件計數 恒壓(CV)和恒流(CC)控制無二次反饋電路 綠色模式:線性降低PWM頻率 固定頻率為50kHz的PWM頻率以解決EMI問題 CV模式下的電纜補償 CV中的峰值電流模式控制模式 逐周期電流限制 V DD 使用Auto Restar進行過壓保護t V DD 欠壓鎖定(UVLO) 柵極輸出最大電壓鉗位在15V 自動重啟固定過溫保護 7導聯SOP 應用 電子書閱讀器 外部AC-DC商用電源 - 便攜消費型 外部AC-D...
          發表于 2019-07-29 19:02? 35次閱讀
          FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初...

          FSEZ1016A 帶有集成式MOSFET的初級...

          度集成的PWM控制器具備多種功能,可增強低功率反激轉換器的性能.FSEZ1016A專有的拓撲簡化了電路設計,特別是電池充電器應用中的電路設計。與傳統設計或線性變壓器相比,它成本更低,尺寸更小,具有更輕的充電器。啟動電流僅為10μA,允許使用大啟動電阻以實現進一步的節能。為了最大限度地降低待機功耗,專有綠色模式提供了關斷時間調制,以在輕載條件下線性降低PWM頻率。綠色模式有助于電源達到節電要求。通過使用FSEZ1016A,充電器可以用極少的外部元件和最低的成本來完成.FSEZ1016A系列控制器提供7引腳SOIC封裝。 特性 恒壓(CV)和恒流(CC)控制( 通過飛兆專有的TRUECURRENT?技術實現精準恒定電流 綠色模式功能:線性降低PWM頻率 42 kHz的固定PWM頻率(采用跳頻來解決電磁干擾問題) 恒壓模式下的電纜補償 低啟動電流:10μA 低工作電流:3.5 mA 恒壓模式下的峰值電流模式控制 逐周期限流 V DD 過壓保護(帶自動重啟) V DD 欠壓鎖定(UVLO) 帶閂鎖的固定過溫保護(OTP) 采用SOIC-7封裝 應用 ...
          發表于 2019-07-29 19:02? 33次閱讀
          FSEZ1016A 帶有集成式MOSFET的初級...

          NCP81231 降壓控制器 USB供電和C型應...

          31 USB供電(PD)控制器是一款針對USB-PD C型解決方案進行了優化的同步降壓控制器。它們是擴展塢,車載充電器,臺式機和顯示器應用的理想選擇。 NCP81231采用I2C接口,可與uC連接,以滿足USB-PD時序,壓擺率和電壓要求。 NCP81231工作在4.5V至28V 特性 優勢 I2C可配置性 允許電壓曲線,轉換速率控制,定時等 帶驅動程序的同步降壓控制器 提高效率和使用標準mosfet 符合USB-PD規范 支持usb-pd個人資料 過壓和過流保護 應用 終端產品 USB Type C 網絡配件 消費者 ??空?車載充電器s 網絡中心 桌面 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 2019-07-29 19:02? 58次閱讀
          NCP81231 降壓控制器 USB供電和C型應...

          NCP81239 4開關降壓 - 升壓控制器 U...

          39 USB供電(PD)控制器是一種同步降壓升壓,經過優化,可將電池電壓或適配器電壓轉換為筆記本電腦,平板電腦和臺式機系統以及使用USB的許多其他消費類設備所需的電源軌PD標準和C型電纜。與USB PD或C型接口控制器配合使用時,NCP81239完全符合USB供電規范。 NCP81239專為需要動態控制壓擺率限制輸出電壓的應用而設計,要求電壓高于或低于輸入電壓。 NCP81239驅動4個NMOSFET開關,允許其降壓或升壓,并支持USB供電規范中指定的消費者和供應商角色交換功能,該功能適用??于所有USB PD應用。 USB PD降壓升壓控制器的工作電源和負載范圍為4.5 V至28 V. 特性 優勢 4.5 V至28 V工作范圍 各種應用的廣泛操作范圍 I2C接口 允許uC與設備連接以滿足USB-PD電源要求 將頻率從150 kHz切換到1200 kHz 優化效率和規模權衡 過渡期間的壓擺率控制 允許輕松實施USB-PD規范 支持USB-PD,QC2.0和QC3.0配置文件 過電壓和過流保護 應用 終端產品 消費者 計算 銷售點 USB Type-C USB PD 桌面 集線器 擴展...
          發表于 2019-07-29 19:02? 62次閱讀
          NCP81239 4開關降壓 - 升壓控制器 U...

          ADP3211 同步降壓控制器 7位 可編程 單...

          1是一款高效的單相同步降壓開關穩壓控制器。憑借其集成驅動器,ADP3211經過優化,可將筆記本電池電壓轉換為高性能英特爾芯片組所需的電源電壓。內部7位DAC用于直接從芯片組或CPU讀取VID代碼,并將GMCH渲染電壓或CPU核心電壓設置為0 V至1.5 V范圍內的值。 特性 優勢 單芯片解決方案。完全兼容英特爾?IMVP-6.5 CPU和GMCH芯片組電壓調節器規格集成MOSFET驅動器。 提高效率。 輸入電壓范圍為3.3V至22V。 提高效率。 最差±7mV -case差分感應核心電壓誤差超溫。 提高效率。 自動節電模式可在輕負載運行期間最大限度地提高效率。 提高效率。 軟瞬態控制可降低浪涌電流和音頻噪聲。 當前和音頻縮減。 獨立電流限制和負載線設置輸入,以增加設計靈活性。 改進設計靈活性ity。 內置電源良好屏蔽支持電壓識別(VID)OTF瞬變。 提高效率。 具有0V至1.5V輸出的7位數字可編程DAC。 提高效率。 短路保護。 改進保護。 當前監聽輸出信號。 提高效率。 這是一款無鉛設備。完全符合RoHS標準和32引...
          發表于 2019-07-29 19:02? 46次閱讀
          ADP3211 同步降壓控制器 7位 可編程 單...

          NCP81149 具有SVID接口的單相電壓調節...

          49是一款單相同步降壓穩壓器,集成了功率MOSFET,可為新一代計算CPU提供高效,緊湊的電源管理解決方案。該器件能夠在帶SVID接口的可調輸出上提供高達14A TDC的輸出電流。在高達1.2MHz的高開關頻率下工作,允許采用小尺寸電感器和電容器,同時由于采用高性能功率MOSFET的集成解決方案而保持高效率。具有來自輸入電源和輸出電壓的前饋的電流模式RPM控制確保在寬操作條件下的穩定操作。 NCP81149采用QFN48 6x6mm封裝。 特性 優勢 4.5V至25V輸入電壓范圍 針對超極本和筆記本應用進行了優化 支持11.5W和15W ULT平臺 符合英特爾VR12.6和VR12.6 +規格 使用SVID接口調節輸出電壓 可編程DVID Feed - 支持快速DVID的前進 集成柵極驅動器和功率MOSFET 小外形設計 500kHz~1.2MHz開關頻率 降低輸出濾波器尺寸和成本 Feedforward Ope輸入電源電壓和輸出電壓的比例 快線瞬態響應和DVID轉換 過流,過壓/欠壓和熱保護 防止故障 應用 終端產品 工業應用 超極本應用程序 筆記本應用程序 集成POL U...
          發表于 2019-07-29 19:02? 26次閱讀
          NCP81149 具有SVID接口的單相電壓調節...

          NCP81141 Vr12.6單相控制器

          41單相降壓解決方案針對Intel VR12.6兼容CPU進行了優化。該控制器結合了真正的差分電壓檢測,差分電感DCR電流檢測,輸入電壓前饋和自適應電壓定位,為臺式機和筆記本電腦應用提供精確調節的電源。單相控制器采用DCR電流檢測,以降低的系統成本提供對動態負載事件的最快初始響應.NCP81141集成了內部MOSFET驅動器,可提高系統效率。提供高性能操作誤差放大器以簡化系統的補償。獲得專利的動態參考注入無需在閉環瞬態響應和動態VID性能之間進行折衷,從而進一步簡化了環路補償。獲得專利的總電流求和提供高精度的數字電流監控。 應用 終端產品 基于工業CPU的應用程序 信息娛樂,移動,自動化,醫療和安全 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 2019-07-29 18:02? 29次閱讀
          NCP81141 Vr12.6單相控制器

          NCP81147 低壓同步降壓控制器

          47是一款單相解決方案,具有差分相電流檢測,同步輸入,遠程接地節能操作和柵極驅動器,可提供精確調節的電源。自適應非重疊柵極驅動和省電操作電路為服務器,筆記本和臺式機系統提供低開關損耗和高效率解決方案。提供高性能操作誤差放大器以簡化系統的補償。 NCP81147還具有軟啟動序列,精確的過壓和過流保護,用于電源軌的UVLO和熱關斷。 特性 優勢 內部高性能運算放大器 簡化系統補償 集成MOSFET驅動器 節省空間并簡化設計 熱關機保護 確保穩健的設計 過壓和過流保護 確保穩健設計 省電模式 在輕載操作期間最大限度地提高效率 支持5.0 V至19 V輸入 5.0 V至12 V操作 芯片使能功能通過OSC引腳 保證啟動進入預充電負載 內部軟啟動/停止 振蕩器頻率范圍為100 kHz至1000 kHz OCP準確度,鎖定前的四次重入時間 無損耗差分電感電流檢測 內部高精度電流感應放大器 20ns內部柵極驅動器的自適應FET非重疊時間 Vout從0.8V到3.3 V(5V,12V VCC) 熱能補償電流監測 ...
          發表于 2019-07-29 18:02? 258次閱讀
          NCP81147 低壓同步降壓控制器

          NCP5230 低壓同步降壓控制器

          0是一款單相解決方案,具有差分相電流檢測,同步輸入,遠程接地節能操作和柵極驅動器,可提供精確調節的電源。自適應非重疊柵極驅動和省電操作電路為服務器,筆記本和臺式機系統提供低開關損耗和高效率解決方案。提供高性能操作誤差放大器以簡化系統的補償。 NCP5230還具有軟啟動序列,精確的過壓和過流保護,用于電源軌的UVLO和熱關斷。 特性 高性能誤差放大器 >內部軟啟動/停止 0.5%內部電壓精度,0.8 V基準電壓 OCP精度,鎖存前四次重入時間無損差分電感電流檢測內部高精度電流檢測放大器振蕩器頻率范圍100 kHz 1000 kHz 20 ns自適應FET內部柵極驅動器非重疊時間 5.0 V至12 V操作支持1.5 V至19 V Vin Vout 0.8 V至3.3 V(具有12 VCC的5 V電壓)通過OSC引腳實現芯片功能鎖存過壓保護(OVP)內部固定OCP閾值保證啟動預充電負載 熱補償電流監控 Shutdow n保護集成MOSFET驅動器集成BOOST二極管,內部Rbst = 2.2 自動省電模式,最大限度地提高光效率負載運行同步功能遠程地面傳感這是一個無鉛設備 應用 桌面和服務器系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
          發表于 2019-07-29 17:02? 33次閱讀
          NCP5230 低壓同步降壓控制器

          NCP3030 同步PWM控制器

          0是一款PWM器件,設計用于寬輸入范圍,能夠產生低至0.6 V的輸出電壓.NCP3030提供集成柵極驅動器和內部設置的1.2 MHz(NCP3030A)或2.4 MHz( NCP3030B)振蕩器。 NCP3030還具有外部補償跨導誤差放大器,內置固定軟啟動。保護功能包括無損耗電流限制和短路保護,輸出過壓保護,輸出欠壓保護和輸入欠壓鎖定。 NCP3030目前采用SOIC-8封裝。 特性 優勢 輸入電壓4.7 V至28 V 從不同輸入電壓源調節的能力 0.8 V +/- 1.5%參考電壓 能夠實現低輸出電壓 1200 kHz操作(NCP3020B - 2400 kHz) 高頻操作允許使用小尺寸電感器和電容器 > 1A驅動能力 能夠驅動低Rdson高效MOSFET 電流限制和短路保護 高級保護功能 輸出過壓和欠壓檢測 高級保護功能 具有外部補償的跨導放大器 能夠利用所有陶瓷輸入和輸出電容器 集成升壓二極管 減少支持組件數量和成本 受管制的軟啟動 已結束軟啟動期間的環路調節可防止任何尖峰或下垂 AEC-Q100和PPAP兼容(NCV3030) 適用于汽車應用 應用 終端產品 ...
          發表于 2019-07-29 17:02? 30次閱讀
          NCP3030 同步PWM控制器

          第三代半導體領域再添新秀——北方華創新一代SiC...

          隨著電動汽車、5G通信、高速軌道交通、新能源、智能電網等領域的不斷發展,市場對功率、射頻器件的性能提....
          發表于 2019-07-26 11:18? 982次閱讀
          第三代半導體領域再添新秀——北方華創新一代SiC...

          三駕馬車驅動,功率半導體前景如何?英飛凌陳清源這...

          7月23日,2019英飛凌電源管理研討會在深圳盛大開幕,英飛凌電源管理與多元化市場事業部大中華區高級....
          發表于 2019-07-25 17:04? 3793次閱讀
          三駕馬車驅動,功率半導體前景如何?英飛凌陳清源這...

          UnitedSiC在UF3C FAST產品系列中...

          美國新澤西州普林斯頓 --- 新型功率半導體企業美商聯合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布....
          發表于 2019-07-25 11:44? 194次閱讀
          UnitedSiC在UF3C FAST產品系列中...

          行業 | 全SiC模塊正在加速,SiC功率器件走...

          安森美半導體是功率電子領域的市場領導者之一,在SiC功率器件領域的地位正在迅速攀升。
          發表于 2019-07-25 08:50? 1160次閱讀
          行業 | 全SiC模塊正在加速,SiC功率器件走...

          ROHM開發出1.6mm×1.6mm尺寸超小型車...

          RV4xxx系列已于2019年5月份開始出售樣品(樣品價格 100日元/個,不含稅),預計于2019....
          發表于 2019-07-24 16:13? 839次閱讀
          ROHM開發出1.6mm×1.6mm尺寸超小型車...

          Maxim發布新型LED驅動器,內置MOSFET...

          MAX25610A/B內置MOSFET,效率高達90%并符合CISPR 25 EMI要求
          發表于 2019-07-23 14:41? 493次閱讀
          Maxim發布新型LED驅動器,內置MOSFET...

          SiC需求增長快于供應(內附SiC器件主要供應商...

          寬禁帶半導體材料越來越受行業歡迎。在碳化硅(SiC)正處于大力擴張之時,供應商都在努力滿足SiC功率....
          發表于 2019-07-19 16:59? 5315次閱讀
          SiC需求增長快于供應(內附SiC器件主要供應商...

          MOSFET需求激增,全球龍頭企業產能預訂一空

          產能已滿,有事排隊
          發表于 2019-07-19 10:00? 745次閱讀
          MOSFET需求激增,全球龍頭企業產能預訂一空

          ROHM的汽車車載LED技術介紹

          ROHM的最大優勢在于,能夠進行全面而嚴格的品質管理并利用垂直統合型生產體制(從元件制造階段開始就嚴....
          發表于 2019-07-18 08:40? 134次閱讀
          ROHM的汽車車載LED技術介紹

          為什么SiC業務可能成為Cree最大增長動力?

          半導體制造商科銳(Cree)一直在穩步減少對競爭和商品化照明市場的依賴,同時轉向其Wolfspeed....
          發表于 2019-07-16 16:41? 4501次閱讀
          為什么SiC業務可能成為Cree最大增長動力?

          儒卓力發布英飛凌OptiMOS功率MOSFET ...

          由于具有最低的導通電阻(RDS(on)),這些BiC MOSFET能夠以良好的性價比降低損耗。此外,....
          發表于 2019-07-15 16:37? 296次閱讀
          儒卓力發布英飛凌OptiMOS功率MOSFET ...

          What ?55頁PPT就把Mosfet從入門到...

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          發表于 2019-07-15 09:58? 2462次閱讀
          What ?55頁PPT就把Mosfet從入門到...

          MOSFET柵極電壓對電流的影響

          FET通過影響導電溝道的尺寸和形狀,控制從源到漏的電子流(或者空穴流)。溝道是由(是否)加在柵極和源....
          發表于 2019-07-12 17:50? 833次閱讀
          MOSFET柵極電壓對電流的影響

          擴充產能 羅姆推進SiC產品布局

          在不久前的一場羅姆SiC產品分享會上,筆者詳細了解了SiC產品在功率器件中的比較優勢,以及該公司在S....
          發表于 2019-07-12 17:35? 4443次閱讀
          擴充產能 羅姆推進SiC產品布局

          ROHM開發出節能優勢顯著的升降壓型DC/DC轉...

          全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都),面向移動設備、可穿戴式設備及IoT設備,開發出一款....
          發表于 2019-07-11 17:35? 248次閱讀
          ROHM開發出節能優勢顯著的升降壓型DC/DC轉...

          增強型和耗盡型MOS場效應管的詳細資料和計算方式...

          根據導電方式的不同,MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指:當VGS=0時管子是呈截止狀態,....
          發表于 2019-07-06 09:48? 998次閱讀
          增強型和耗盡型MOS場效應管的詳細資料和計算方式...

          碳化硅(SiC)功率器件發展現狀

          近年來,SiC功率器件的出現大大提升了半導體器件的性能,這對電力電子行業的發展意義重大。據Yole預....
          發表于 2019-07-05 11:56? 4077次閱讀
          碳化硅(SiC)功率器件發展現狀

          英飛凌亮相PCIM Asia 2019,以最新產...

          英飛凌以“我們賦能世界”為主題,在展會上展示了具備更高功率密度、最新芯片技術和功能更集成的一系列新產....
          發表于 2019-07-03 18:47? 206次閱讀
          英飛凌亮相PCIM Asia 2019,以最新產...

          常見的MOSFET以及IGBT絕緣柵極隔離驅動技...

          MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結構,直流電不能通....
          發表于 2019-07-03 16:26? 289次閱讀
          常見的MOSFET以及IGBT絕緣柵極隔離驅動技...

          SiC功率半導體市場起飛 電動車為主要驅動力

          電動汽車推動了SiC功率半導體市場,但成本仍然是個問題。
          發表于 2019-07-03 14:37? 1294次閱讀
          SiC功率半導體市場起飛 電動車為主要驅動力

          功率MOSFET平均售價持續上升 成為IDM大廠...

          自2018年開始,功率MOSFET(Power MOSFET)的平均售價(ASP)持續上升,其中以工....
          發表于 2019-07-02 16:42? 943次閱讀
          功率MOSFET平均售價持續上升 成為IDM大廠...

          英飛凌碳化硅SiC占比充電樁市場份額超過五成

          第三代半導體材料碳化硅的發展在功率器件市場成為絕對的焦點。全球功率器件龍頭廠商英飛凌持續投入碳化硅器....
          發表于 2019-07-02 16:33? 911次閱讀
          英飛凌碳化硅SiC占比充電樁市場份額超過五成

          如何消除靜電釋放(ESD)對電子設備的干擾和破壞...

          在PCB板的設計當中,可以通過分層、恰當的布局布線和安裝實現PCB的抗ESD設計。在設計過程中,通過....
          發表于 2019-07-02 11:24? 1542次閱讀
          如何消除靜電釋放(ESD)對電子設備的干擾和破壞...

          IGBT基本結構和原理_IGBT設計關鍵因素

          因為最近工作中比較多的涉及到IGBT,所以今天我們來聊一聊IGBT的設計的相關要點,當然只是從我們比....
          發表于 2019-06-29 09:44? 1036次閱讀
          IGBT基本結構和原理_IGBT設計關鍵因素

          行業 | 英飛凌SiC占比充電樁市場份額超過五成

          全球功率器件龍頭廠商英飛凌持續投入碳化硅器件的研發生產,并打入多個應用市場......
          發表于 2019-06-27 15:31? 811次閱讀
          行業 | 英飛凌SiC占比充電樁市場份額超過五成

          Power Integration推出高度靈活的...

          可立即使用的SCALE-iFlex系統輕松支持四個模塊并聯;出廠涂覆三防漆可極大增強可靠性。
          發表于 2019-06-27 09:09? 205次閱讀
          Power Integration推出高度靈活的...

          MOSFET理解與應用 如何提高放大器的Robu...

          哪些因素會影響MOSFET放大器的Robust增加一個電阻,提高Robust增加一個電容。
          發表于 2019-06-26 14:33? 196次閱讀
          MOSFET理解與應用 如何提高放大器的Robu...

          功率半導體需求旺 預計2030年SiC增長10倍...

          據日本富士經濟(Fuji Keizai)6月發布功率半導體全球市場的報告預估,汽車,電氣設備,信息和....
          發表于 2019-06-25 11:22? 4340次閱讀
          功率半導體需求旺 預計2030年SiC增長10倍...

          國內SiC距離大規模量產還差“東風”吹來

          SiC優越的半導體特性,未來將可為眾多的元件所采用。
          發表于 2019-06-25 11:14? 672次閱讀
          國內SiC距離大規模量產還差“東風”吹來

          SiC功率器件加速充電樁市場發展

          隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大,充電樁市場發展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現比Si基功率器....
          發表于 2019-06-18 17:24? 239次閱讀
          SiC功率器件加速充電樁市場發展

          MOS管閾值電壓與溝長和溝寬的關系

          關于 MOSFET 的 W 和 L 對其閾值電壓 Vth 的影響,實際在考慮工藝相關因素后都是比較復....
          發表于 2019-06-18 17:19? 640次閱讀
          MOS管閾值電壓與溝長和溝寬的關系

          MOSFET開通時間和關斷時間定義

          電路設計的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態,而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原....
          發表于 2019-06-18 16:49? 1035次閱讀
          MOSFET開通時間和關斷時間定義

          MOS管參數及含義說明

           交流參數可分為輸出電阻和低頻互導2個參數,輸出電阻一般在幾十千歐到幾百千歐之間,而低頻互導一般在十....
          發表于 2019-06-18 16:01? 556次閱讀
          MOS管參數及含義說明

          光刻機的背景技術和工作原理及專利分析的詳細資料說...

          近兩年,中國芯片產業受到了嚴重打擊,痛定思痛之余也讓國人意識到芯片自主研發的重要性。從2008年以來....
          發表于 2019-06-16 09:56? 1582次閱讀
          光刻機的背景技術和工作原理及專利分析的詳細資料說...

          亞洲工業市場規模已達44億美元,ST打算吞下這塊...

          雖然工業市場規模龐大,然而卻高度碎片化,要像吃下這塊“肥肉”并不那么容易。為了能順利吃到肉,2019....
          發表于 2019-06-14 20:29? 4124次閱讀
          亞洲工業市場規模已達44億美元,ST打算吞下這塊...

          干貨 | 一文了解 SiC/GaN 功率轉換器驅...

          基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經開始....
          發表于 2019-06-13 11:45? 985次閱讀
          干貨 | 一文了解 SiC/GaN 功率轉換器驅...

          CISSOID和中科院電工所建立戰略合作關系 共...

          高溫半導體解決方案供應商CISSOID日前宣布:公司已與中國科學院電工研究所(簡稱中科院電工所)達成....
          發表于 2019-06-10 14:10? 634次閱讀
          CISSOID和中科院電工所建立戰略合作關系 共...

          ROHM新發布具有內置自我診斷功能的電源監控IC...

          全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向ADAS(高級駕駛輔助系統)和自動駕駛用的傳感器....
          發表于 2019-06-09 16:30? 248次閱讀
          ROHM新發布具有內置自我診斷功能的電源監控IC...

          在LLC拓撲中,選擇體二極管恢復快的MOSFET...

          在當前全球能源危機的形式下,提高電子設備的能效,取得高性能同時降低能耗,成為業內新的關注點。為順應這....
          發表于 2019-06-04 10:09? 667次閱讀
          在LLC拓撲中,選擇體二極管恢復快的MOSFET...

          SiC和GaN對傳統Si功率電子的影響

          由于半導體制程的不斷精進,數位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高,運算力不斷增強,使運算的取得愈來愈便宜,....
          發表于 2019-05-30 17:08? 672次閱讀
          SiC和GaN對傳統Si功率電子的影響

          ROHM的車載LED技術應用

          LED在各個領域中的應用已經司空見慣,在汽車領域也不例外,作為剎車燈、車速表等指示燈光源,LED的應....
          發表于 2019-05-30 16:47? 800次閱讀
          ROHM的車載LED技術應用

          滿足AEC-Q101標準的車載用1200V耐壓I...

          全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)新推出四款支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101....
          發表于 2019-05-29 15:15? 1057次閱讀
          滿足AEC-Q101標準的車載用1200V耐壓I...
          2019中文字幕视频
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